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onsemi ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 50V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.3Vonsemi

￥2,598税込￥2,858

1セット(100個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.3ピーク逆繰返し電圧(V)50ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)150

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onsemi スイッチングダイオード表面実装， 1A， 600V，シングル，エレメント数 1 DO-214AC (SMA)， 2-Pin 1.1Vonsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(100個)

4日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 A長さ(mm)4.75幅(mm)2.95高さ(mm)2.2寸法4.75 x 2.95 x 2.2mmピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1.4最大逆電圧(V)600

onsemi 整流ダイオード， 1A， 800V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA)onsemi

￥859税込￥945

1箱(50個)

7日以内出荷

仕様汎用整流器の世界では、 Fairchild Semiconductor の S1 ファミリの 1 A 、 P-I-N 、 SMA 整流器が、最適化された低漏洩電流、低静電容量、高速応答時間を実現する製品です。これを実現すると同時に、業界標準の VF 最大 1.1 V @ 1 A 、サージ定格 30 A を維持しています。現在の世界では、システムの電力効率が重要な差別化要因となっていますが、これらの利点を活用して、効率性の向上という目標を達成することができます。定格電流： 1 AIF ( AV 低漏洩電流：ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングルRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)1.8 (Typ.)

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トライアック出力， MOC3061Monsemi

￥619税込￥681

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様入力電流タイプ：ACチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild SemiconductorパッケージPDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストライアック最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)60絶縁電圧(kVrms)7.5

フォトダイオード onsemi Si スルーホール実装 5mm packageonsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様QSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ高感度波長さ(mm)4.95直径(Φmm)6.1高さ(mm)8.77波長(nm)ピーク感度：880ピン数(ピン)2ダイオード(材質)Si検出波長最大1100nm、最小700nmRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間5ns標準降下時間5ns

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onsemi フォトトランジスタ，スルーホール実装，赤外線 2ピン QSE113onsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(20個)

5日以内出荷

仕様QSE113 / QSE114シリーズ赤外線フォトトランジスタ. Fairchild SemiconductorのQSE113 / QSE114シリーズには、シリコン赤外線フォトトランジスタが各種揃っています。各製品は、サイドルッキング(SL)スルーホールパッケージに収められています。各製品の黒色のプラスチックパッケージは、広角で赤外線を透過します。. QSE113 / QSE114赤外線フォトトランジスタの特長: NPNシリコン赤外線フォトトランジスタパッケージタイプ: 側方監視中幅レセプション長さ(mm)4.44寸法(mm)4.44×2.54×5.08チャンネル数1ピン数(ピン)2RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間8μs標準降下時間8μsコレクタ電流(mA)1.5

onsemi 汎用整流ダイオード， 200mA， 120V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1.25Vonsemi

￥14,980税込￥16,478

1リール(3000個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)高速スイッチングダイオード、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.25ピーク逆繰返し電圧(V)120ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)50最大連続順方向電流(mA)200

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， 6N136Monsemi

￥919税込￥1,011

1箱(5個)

6日以内出荷

仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：0.5●論理出力：ありチャンネル数1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild SemiconductorパッケージMDIP実装タイプスルーホール実装出力デバイストランジスタ最大順方向電圧(V)1.7最大入力電流(mA)50絶縁電圧(Vrms)5000

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 800V， 8.51 x 6.5 x 3.3mm， DF08Sonsemi

￥629税込￥692

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流長さ(mm)8.51高さ(mm)3.3ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングルパッケージSDIP実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1.1最大動作温度(℃)150最小動作温度(℃)-55

onsemi 汎用整流ダイオード， 1A， 400V 表面実装， 2-Pin DO-214AC (SMA) シリコンジャンクション 1.3Vonsemi

￥2,798税込￥3,078

1セット(100個)

5日以内出荷

仕様Fairchild Semiconductor 整流ダイオード、1 → 1.5 Aピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.3ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)30最大連続順方向電流(A)1ピーク逆回復時間(ns)150

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onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， CNY173SMonsemi

￥1,598税込￥1,758

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様CNY17XM 、 CNY17FXM 、 MOC810XM デバイスは、ガリウムヒ素赤外線発光ダイオードと NPN フォトトランジスタをデュアルインラインパッケージにまとめた製品です。高 BVCEO ： 70 V 以上( CNY17XM 、 CNY17FXM 、 MOC8106M ) 厳密に一致した電流伝達率( CTR ) ユニット間のバラツキを最小化します選択したグループの現在の転送率超低結合静電容量と、チップ対ピン 6 ベース接続がなく、最小ノイズサセプタンス( CNY17FXM 、 MOC810チャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.65最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)200絶縁電圧(kVrms)4.17最小電流伝送率(%)100

onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -100 mA， BC556ABUonsemi

￥2,998税込￥3,298

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-65最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最大動作周波数(MHz)10

onsemi 汎用整流ダイオード， 2A， 400V 表面実装， 2-Pin DO-214AA (SMB) シリコンジャンクション 1.15Vonsemi

￥1,098税込￥1,208

1セット(50個)

11日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.15ピーク逆繰返し電圧(V)400ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50最大連続順方向電流(A)2ピーク逆回復時間(μs)2

onsemi ツェナーダイオード 15V 表面実装 200 mWonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1テスト電流(mA)5最大パワー消費(mW)200最大逆漏れ電流(nA)45ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)28

onsemi ロジックゲート， AND，表面実装， 2-入力， 74onsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様論理回路：HCタイプロジック：AND入力種類CMOSピン数(ピン)14RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)5.2高レベル出力電流(mA)(Max)5.2最大伝播遅延時間@最大CL20 ns @ 15 pFゲートあたりの入力数2出力タイプLSTTL

onsemi 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 100V， 8.51 x 6.5 x 3.3mm， DF01Sonsemi

￥969税込￥1,066

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様ULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流寸法(mm)8.51×6.5×3.3高さ(mm)3.3ピン数(ピン)4動作温度(℃)-55～+150RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装ピーク平均順方向電流(A)1.5ピーク逆繰返し電圧(V)100ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50ピーク逆電流(μA)5ピーク順方向電圧(V)1.1

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， CNY173TVMonsemi

￥569税込￥626

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductorタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装標準上昇時間1μs標準降下時間2μs出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.65最大入力電流(mA)60最大電流変換率(%)200絶縁電圧(V)7500 ac

onsemi 反射型光センサ 4-Pin SMD 表面実装onsemi

￥699税込￥769

1箱(5個)

翌々日出荷

長さ(mm)3.6幅(mm)2.9寸法(mm)3.6×2.9×1.7高さ(mm)1.7チャンネル数1ピン数(ピン)4動作温度(℃)-40 → +85RoHS指令(10物質対応)対応特性反射型フォトインタラプタ. フォトトランジスタ出力付き反射型エミッタとディテクタの向きが同じ小型誤検出を最小限度に抑える可視光ブロック光学IC (GP2A231LRSAF)、TTL直接接続に対応パッケージSMD実装タイプ表面実装標準上昇時間20μs標準降下時間20μs出力デバイスフォトトランジスタ最大動作温度(℃)85最小動作温度(℃)-40

onsemi 小信号整流ダイオード，シリーズ， 200mA， 120V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1.25Vonsemi

￥199税込￥219

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)高速スイッチングダイオード、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シリーズ整流方式小信号RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.25ピーク逆繰返し電圧(V)120ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2ピーク逆回復時間(ns)50最大連続順方向電流(mA)200

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onsemi トランジスタ， PNP，スルーホール， -100 mA， BC559CTAonsemi

￥2,998税込￥3,298

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-30最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5最大コレクタ-ベース間電圧(V)-30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)-100トランジスタタイプPNP最小DC電流ゲイン420最大動作周波数(MHz)10

onsemi Nチャンネル MOSFET50 V 14 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi

￥1,398税込￥1,538

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)14最大ドレイン-ソース間電圧(V)50最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費48 W

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onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンonsemi

￥999税込￥1,099

1箱(5個)

5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.2083333333ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ高密度セル設計高い飽和電流優れたスイッチングパッケージSOT-223実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)3000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-65

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 800 mA， BC33716TAonsemi

￥2,998税込￥3,298

1箱(200個)

7日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)10トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)800トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)50

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 100 mA， BC548CTAonsemi

￥2,998税込￥3,298

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)30最大パワー消費(mW)500最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)30トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)1

onsemi ロジックゲート， AND，表面実装， 2-入力， NC7SV08P5Xonsemi

￥899税込￥989

1セット(50個)

5日以内出荷

仕様TinyLogic ULP-A、Fairchild Semiconductor、伝播遅延テスト条件：30pF、論理回路：TinyLogic ULP-Aタイプロジック：AND入力種類CMOSピン数(ピン)5RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)0.9 、(Max)3.6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL5.3 ns @ 30 pFエレメント数1ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし

onsemi 汎用整流ダイオード， 200mA， 200V 表面実装， 3-Pin SOT-23 シリコンジャンクション 1.15Vonsemi

￥1,598税込￥1,758

1セット(200個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.15ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)2最大連続順方向電流(mA)200

onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 1 Wonsemi

￥379税込￥417

1箱(20個)

翌々日出荷から5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格寸法(mm)5.21×2.72×2.72ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)15最大逆漏れ電流(nA)500ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)15

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電圧レベルトランスレータ onsemionsemi

￥2,498税込￥2,748

1箱(25個)

7日以内出荷

仕様●伝播遅延テスト条件：50pF●論理回路：ACT寸法(mm)13×7.6×2.35ピン数(ピン)20動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)4.5低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)24最大伝播遅延時間@最大CL10 ns @ 50 pF

onsemi 整流ダイオード， 3A， 60V 表面実装， 2-Pin DO-214AB (SMC) ショットキーバリア 750mVonsemi

￥1,498税込￥1,648

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル整流方式ショットキー整流器RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(mV)750ピーク逆繰返し電圧(V)60ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100最大連続順方向電流(A)3

onsemi フォトカプラ，スルーホール実装チャンネル数：1，トランジスタ出力， 4N32Monsemi

￥649税込￥714

1箱(10個)

5日以内出荷

仕様●オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor●論理出力：ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール実装出力デバイスフォトトランジスタ最大順方向電圧(V)1.5最大入力電流(mA)80絶縁電圧(V)2500 dc、7500 ac最小電流伝送率(%)500

onsemi インバータインバータシュミットトリガ 74onsemi

￥849税込￥934

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、論理回路：AC寸法(mm)8.75×4×1.5タイプロジック：インバータ入力種類シュミットトリガピン数(ピン)14動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Max)61チップ当たりのエレメント数6低レベル出力電流(mA)(Max)24高レベル出力電流(mA)(Max)-24最大伝播遅延時間@最大CL13.5nsシュミットトリガー入力あり

onsemi ロジックゲート， NOR，表面実装， 2-入力， 74onsemi

￥2,398税込￥2,638

1箱(55個)

5日以内出荷

仕様論理回路：HC、74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSタイプロジック：NOR入力種類CMOSピン数(ピン)14動作温度(℃)(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6低レベル出力電流(mA)(Max)5.2高レベル出力電流(mA)(Max)5.2最大伝播遅延時間@最大CL113nsエレメント数4ゲートあたりの入力数2シュミットトリガー入力なし

onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 3.5 A、3.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンonsemi

￥1,698税込￥1,868

1箱(10個)

7日以内出荷

仕様強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)8動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5、3.9最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)95190最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費2 W

onsemi ツェナーダイオード 5.1V 表面実装 200 mWonsemi

￥1,298税込￥1,428

1セット(200個)

5日以内出荷

仕様ツェナーダイオード200 mW、MM3Z-B、MM3Z-Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (Bシリーズ)、5 % (Cシリーズ) 表面実装ケース: SOD-323F寸法1.3 x 1.7 x 1mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装テスト電流(mA)5最大逆漏れ電流(μA)1.8最大パワー消費(mW)200ツェナー電圧許容性(%)2最大ツェナーインピーダンス(Ω)56

onsemi 汎用整流ダイオード， 300mA， 75V 表面実装， 2-Pin SOD-523F シリコンジャンクション 1Vonsemi

￥1,798税込￥1,978

1セット(200個)

5日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductorピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)高速スイッチングダイオード、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1ピーク逆繰返し電圧(V)75ピーク逆回復時間(ns)4最大連続順方向電流(mA)300

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onsemi フォトカプラ，表面実装チャンネル数：1，ダーリントン出力， 4N32SMonsemi

￥2,398税込￥2,638

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様オプトカプラ、ダーリントントランジスタ出力、Fairchild Semiconductor、論理出力ありタイプ入力電流：DCチャンネル数1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装標準上昇時間5μs標準降下時間100μs出力デバイスダーリントン最大順方向電圧(V)1.5最大電流変換率(%)500絶縁電圧(Vrms)2500最大入力電流(A)3

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 200 mA， 2N3904TFRonsemi

￥2,798税込￥3,078

1箱(200個)

5日以内出荷

仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 Vピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(mW)625最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)60トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(mA)200トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大動作周波数(MHz)300

onsemi トランジスタ， NPN，スルーホール， 1 A， PN2222ATAonsemi

￥299税込￥329

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仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V寸法(mm)5.2×4.19×5.33ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大エミッタ-ベース間電圧(V)6最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成シングル最大DCコレクタ電流(A)1トランジスタタイプNPN最大動作周波数(MHz)300最大パワー消費625 mW

onsemi トランジスタ， NPN，表面実装， 500 mA， MMPQ2222Aonsemi

￥2,298税込￥2,528

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仕様最大動作周波数：300 MHzピン数(ピン)16RoHS指令(10物質対応)対応特性デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild SemiconductorパッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数4最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40最大パワー消費(W)1最大エミッタ-ベース間電圧(V)5最大コレクタ-ベース間電圧(V)75トランジスタ構成絶縁型最大DCコレクタ電流(mA)500トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100最大動作温度(℃)150

onsemi スイッチングダイオード表面実装， 300mA， 75V，シングル，エレメント数 1 SOD-523， 2-Pin 1Vonsemi

￥899税込￥989

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仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor長さ(mm)1.3幅(mm)0.9高さ(mm)0.7寸法1.3 x 0.9 x 0.7mmピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大ダイオードキャパシタンス(pF)4最大逆電圧(V)75

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