「トランジスタ 絶縁」の検索結果

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計され、デバイスの取り付け面をヒートシンク又はシャーシから電気的に絶縁する必要があります。電気的に普及した TIP122 および TIP127 に類似しています 100 VCEO ( sus ) 定格コレクタ電流： 5 A 分離ワッシャは不要です システムコストの削減 高 DC 電流ゲイン： 2000 (最小) @ IC = 3 ADC 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 250 MHz。ピン数 = 16。1チップ当たりのエレメント数 = 4。寸法 = 10 x 4 x 1.5mm。デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 700 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 250 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 700 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 16。1チップ当たりのエレメント数 = 4。動作温度 Max = +150 ℃mm。デュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 0.3μs。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 2.5 kVrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 50%。標準降下時間 = 0.45μs。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SMT。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 20 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = MCT

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = SMT。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 4.17 kVrms。最大電流変換率 = 200%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = CNY

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = MCT。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMT。入力電流タイプ = AC/DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000Vrms 交流。最大電流変換率 = 150%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD814

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = AC/DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000Vrms 交流。最大電流変換率 = 150%。最小電流伝送率 = 50%。シリーズ = FOD814

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。最大電流変換率 = 400%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 18μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 18μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 4μs。絶縁電圧 = 5000 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD。特殊機能 = AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3.2μs。最大入力電流 = 200 mA。絶縁電圧 = 2500 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 100%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = MOCD。特殊機能 = 厳密に適合する電流伝送率、フィードバック制御回路、汎用スイッチング回路。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SMT。入力電流タイプ = AC/DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000Vrms 交流。最大電流変換率 = 600%。最小電流伝送率 = 50%。シリーズ = FOD817。4 ピンデュアルインラインパッケージでシリコンフォトトランジスタを駆動するガリウム砒素赤外発光ダイオード (FOD817) を採用しています。AC 入力応答( FOD814 ) 現在のトランスファー比 FOD817:50-600% 保証最低 BVCEO ： 70V 安全性および規制に関する承認 用途 AC-DC マーチャント電源 家庭用電化製品 産業用モータ

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 20 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最小電流伝送率 = 20%。シリーズ = MCT

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2.4μs。最大入力電流 = 10 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 2.4μs。シリーズ = MCT

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 18μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 Vrms。最大電流変換率 = 400%。標準降下時間 = 18μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 5ns。最大入力電流 = 25 mA。絶縁電圧 = 2500 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 50%。シリーズ = HCPL。オプトカプラ、高性能トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。最大電流変換率 = 200%。最小電流伝送率 = 100%。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 18μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。最大電流変換率 = 400%。標準降下時間 = 18μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 4μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 5000 V ac。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MFP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 160%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = HMHA。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MFP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = HMHA。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 3 A。絶縁電圧 = 7500 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 100%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = 4N35。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = MDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 10μs。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。最大電流変換率 = 50%。標準降下時間 = 10μs。シリーズ = TIL。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MFP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = HMHA。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = MFP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 3μs。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 3750 Vrms。最大電流変換率 = 300%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FODM。オプトカプラ、AC入力、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor. AC又はDC入力 リレーコンタクトモニタ、産業用制御での用途

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 380 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor