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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
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仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:11.2 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)5 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
1,298 税込1,428
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:7.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:28 nC @ 10 V シリーズUltraFET ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)2500 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
1,498 税込1,648
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仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:3.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:5.1 nC @ 10 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電 パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)31 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)107 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成絶縁型
1箱(2個)
1,098 税込1,208
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 177 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
239,800 税込263,780
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:30 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:15 nC @ 10 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A パッケージPower 33 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)41 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
599 税込659
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:1.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:4.6 nC @ 5 V シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷 パッケージSOT-223 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)2000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)350 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
729 税込802
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:56A●標準ゲートチャージ @ Vgs:110 nC @ 20 V シリーズUltraFET ピン数(ピン)3 特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)200 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1個
439 税込483
7日以内出荷

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 100 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 55 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 2.5 kW。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。長さ 20mm。高さ 20mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(25個)
51,980 税込57,178
7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:3.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:4.1 nC @ 10 V 高さ(mm)1.7 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A パッケージSOT-223 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)2.2 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)189 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
899 税込989
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:2.7 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:3 nC @ 10 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A パッケージSOT-23 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)1.5 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)183 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
559 税込615
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 189 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.7mm。高さ = 1.7mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
269,800 税込296,780
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 39 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 73 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
419 税込461
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 350 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 6.5mm。高さ = 1.6mm。QFETR NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
739 税込813
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:16 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor パッケージPower 33 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)35 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)212 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
799 税込879
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:39 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:11.7 nC @ 10 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A パッケージPQFN8 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)73 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1個
399 税込439
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 15.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.1mm。高さ = 2.3mm。QFETR NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
999 税込1,099
欠品中

仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)20 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)38 最小ゲートしきい値電圧(V)2.5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費33.8 W
1箱(10個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:85 nC @ 10 V シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量( パッケージTO-3PN 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)214000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23 最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 , +25 トランジスタ構成シングル
1個
539 税込593
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.1mm。高さ = 2.3mm。QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
729 税込802
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 36 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 62 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.22mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
339,800 税込373,780
7日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 20 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 38 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最大パワー消費 = 33.8 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 10.36mm。高さ = 16.07mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:15.6 A 幅(mm)6.1 シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート パッケージDPAK (TO-252) 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)2500 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
1,098 税込1,208
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 10 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 2500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V。幅 = 6.1mm。高さ = 2.3mm。QFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
569 税込626
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 214 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 333 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4.83mm。高さ = 9.4mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
26,980 税込29,678
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 56 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = UltraFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 4.83mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
1セット(50個)
12,980 税込14,278
7日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 140 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 375000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V。長さ = 15.8mm。高さ = 18.9mm。QFETR NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,198 税込1,318
5日以内出荷

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 6.73mm。高さ = 2.39mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
319,800 税込351,780
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs:18 nC @ 10 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A パッケージDPAK (TO-252) 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)54 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
1,298 税込1,428
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:0.4166666667●標準ゲートチャージ @ Vgs:8.7 nC @ 5 V シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー パッケージDPAK (TO-252) 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)2500 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
719 税込791
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:0 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)60 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)200 最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 , +10 トランジスタ構成シングル 最小動作温度(℃)-55
1個
239 税込263
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仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 23 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 56 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 83 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 2.38mm●NチャンネルパワーMOSFET●100 V → 1700 V●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
2,298 税込2,528
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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 60000 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 V。幅 = 4.83mm。高さ = 9.4mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
6,298 税込6,928
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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 100 A、238 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.7 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 104 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.05mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2個)
969 税込1,066
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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 55 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3750 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V。長さ = 10.67mm。高さ = 4.83mm。QFETR NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:55 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:75 nC @ 10 V シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量( パッケージD2PAK (TO-263) 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)3750 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26 最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 , +25 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
1,998 税込2,198
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チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 120 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 333 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 9.65mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,398 税込2,638
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仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:0 高さ(mm)4.83 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。 パッケージD2PAK (TO-263) 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)310000 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1個
569 税込626
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ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 76mA。最大ツェナーインピーダンス = 10Ω。最大逆漏れ電流 = 100μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
939 税込1,033
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実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 2μs。最大入力電流 = 3 A。絶縁電圧 = 7500 Vrms。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 100%。標準降下時間 = 2μs。シリーズ = 4N35。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,598 税込1,758
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