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チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.5 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 72 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 1.6 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 128 m Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

電源スイッチの種類 = 内蔵負荷。動作供給電圧 Max = 8 V。出力数 = 2A。パワーレーティング = 0.7W。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 6。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm。統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。高さ = 1mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N， P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A、2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ， 270 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchRデュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 270 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrenchR MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を採用しています。この高度な技術を利用することで、このデバイスのFOM(性能指数)は前世代の製品よりも大幅に低くなっています。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバ回路の除去、または高電圧定格MOSFETを置き換えることができます。

電源スイッチの種類 = 内蔵負荷。オン抵抗 = 0.125Ω。動作供給電圧 Max = 20 V。出力数 = 2A。パワーレーティング = 0.7W。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 6。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm。統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 680 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V。最大パワー消費 = 900 mW。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V。長さ = 3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デジタルFET、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 40， 63， 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor