「esd」の検索結果

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8.1V。最小ブレークダウン電圧 = 5.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UDFN。ピン数 = 14。最大ピークパルス電流 = 16A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 8。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.5 x 1.5 x 0.5mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。ESD8008 は、 4 つの高速差動ペアを保護できるようになっています。超低静電容量及び低 ESD クランプ電圧により、電圧の影響を受けやすい高速データラインの保護に最適なソリューションになります。フロースルースタイルパッケージにより、基板レイアウトが簡単で、トレース長を揃えて高速ラインのインピーダンスを一定にすることができます。最大静電容量： 0.35 pF 深型スナップバック SCR 技術 最大6 Gbpsのデータ転送速度に対応 ESD イベント用の超低クランプ電圧 コンピューティング LCD TV 用途 V-by-One HS LVDS DisplayPort

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 10V。最小ブレークダウン電圧 = 5.5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = U-DFN3310。ピン数 = 8。最大ピークパルス電流 = 8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3.3 x 1 x 0.5mm。幅 = 1mm。ESD保護用過渡電圧サプレッサダイオード、ESDシリーズ. 電圧に敏感なコンポーネントをESD (静電気放電)から保護するように設計されています。 優れたクランプ機能、低リーク、高速レスポンスにより、ESDに晒される製品としては、クラス内最高の保護機能を実現します。

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 10.9V。最小ブレークダウン電圧 = 4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 2.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 120W。最大ピークパルス電流 = 11A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。幅 = 0.9mm。240 W過渡電圧サプレッサダイオード、ESD保護用. ON Semiconductor ESD5Z シリーズは、電圧の影響を受けやすいコンポーネントを ESD や過渡電圧イベントから保護できるようになっているマイクロ過渡電圧サプレッサです。このデバイスは、優れたクランプ機能を備え、高速な応答時間と低漏洩電流が特長で、 ESD 保護に最適です。コンパクトなサイズで、基板スペースが限られている場所の省スペースに最適です。. 用途. 携帯機器 - 携帯電話 - デジタルカメラ - 電源. 規格. - IEC61000-4-2 レベル 4 ESD 保護 -IEC61000-4-4 レベル 4 EFT 保護 - クラス 3 の ESD 定格

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 12.5V。最小ブレークダウン電圧 = 5.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 0.3W。最大ピークパルス電流 = 12.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。低静電容量ESD保護アレイ

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 14.1V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 200W。最大ピークパルス電流 = 11.2A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 0.6mm。ESD保護用過渡電圧サプレッサ、ESD5Zシリーズ. ON Semiconductor ESD5Z シリーズは、電圧の影響を受けやすいコンポーネントを ESD や過渡電圧イベントから保護できるようになっているマイクロ過渡電圧サプレッサです。このデバイスは、優れたクランプ機能を備え、高速な応答時間と低漏洩電流が特長で、 ESD 保護に最適です。コンパクトなサイズで、基板スペースが限られている場所の省スペースに最適です。. 用途. - ポータブルデバイス - 携帯電話 - デジタルカメラ - 電源. 規格. - IEC61000-4-2 レベル 4 ESD 保護 -IEC61000-4-4 レベル 4 EFT 保護 - クラス 3 の ESD 定格

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 25V。最小ブレークダウン電圧 = 14.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-523。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 240W。最大ピークパルス電流 = 9.6A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm。テスト電流 = 1mA。240 W過渡電圧サプレッサダイオード、ESD保護用. ON Semiconductor ESD5Z シリーズは、電圧の影響を受けやすいコンポーネントを ESD や過渡電圧イベントから保護できるようになっているマイクロ過渡電圧サプレッサです。このデバイスは、優れたクランプ機能を備え、高速な応答時間と低漏洩電流が特長で、 ESD 保護に最適です。コンパクトなサイズで、基板スペースが限られている場所の省スペースに最適です。. 用途. 携帯機器 - 携帯電話 - デジタルカメラ - 電源. 規格. - IEC61000-4-2 レベル 4 ESD 保護 -IEC61000-4-4 レベル 4 EFT 保護 - クラス 3 の ESD 定格

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 10.4V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 102W。最大ピークパルス電流 = 9.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 0.85 x 0.65 x 0.43mm。自動車規格 = AEC-Q101pF。低静電容量ESD保護アレイ

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 5V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-923。最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 0.3W。最大ピークパルス電流 = 10.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 0.65mm。低静電容量ESD保護アレイ

電圧範囲 = 5.25 V。許容入力 = 225 mW。長さ = 3.1mm。奥行き = 1mm。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1 mm。ESD保護付きEMIフィルタ、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-88。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 75W。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 4。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.35mm

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.9V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-74。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.5V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 0.22W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 13。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +85 ℃mm。幅 = 1.7mm。低静電容量ESD保護アレイ

ダイオード構成 = コンプレックスアレイ。最大クランピング電圧 = 20V。最小ブレークダウン電圧 = 6.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 8。ピークパルスパワー消費 = 2000W。最大ピークパルス電流 = 100A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 5。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 4mm。高電流落雷保護、ON Semiconductor

寸法 = 1.7 x 1.3 x 0.6mm。幅 = 1.3mm。ESD保護付きEMIフィルタ、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 16V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 150W。最大ピークパルス電流 = 9.37A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 2.2 x 1.35 x 0.9mm。高さ = 0.9mm。ESDプロテクタ、ON Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8V。最小ブレークダウン電圧 = 5.32V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-74。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 150W。最大ピークパルス電流 = 3A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 4。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 1mm。24 Wクワッドコモンアノード過渡電圧サプレッサ(ESD保護用)

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 12.5V。最小ブレークダウン電圧 = 6.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 100W。最大ピークパルス電流 = 8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 5。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +125 ℃mm。幅 = 1.35mm。ESD保護用5ライン過渡電圧サプレッサ

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 14.5V。最小ブレークダウン電圧 = 7.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSOP。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 6。ピークパルスパワー消費 = 350W。最大ピークパルス電流 = 24A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 5。動作温度 Min = -40 ℃。寸法 = 3.1 x 1.7 x 1mm。幅 = 1.7mm。350 W過渡電圧サプレッサダイオードアレイ、ESD保護用

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 40V。最小ブレークダウン電圧 = 25.65V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 22V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 40W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.3mm。40 Wデュアルツェナートランジェント電圧サプレッサ、ON Semiconductor. ESD保護のためのSOT-23デュアルコモンアノードツェナー。 コンピュータ、プリンタ、ビジネスマシン、通信システム、医療機器など、電圧や静電気放電に敏感な機器で使用。

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8V。最小ブレークダウン電圧 = 5.32V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 24W。最大ピークパルス電流 = 3A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。24 Wデュアルツェナートランジェント電圧サプレッサ、ON Semiconductor. ESD保護のためのSOT-23デュアルコモンアノードツェナー。 コンピュータ、プリンタ、ビジネスマシン、通信システム、医療機器など、電圧や静電気放電に敏感な機器で使用。

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 38V。最小ブレークダウン電圧 = 25.65V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 40W。最大ピークパルス電流 = 1A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。動作供給電圧 Max = 51 V。動作温度 Max = +150 ℃。動作供給電圧 Min = 42 V。動作温度 Min = -55 ℃。自動車規格 = AEC-Q100。NCV8402 は、 3 Terminal Protection を備えた 2 チャンネルのローサイドスマートディスクリートデバイスです。保護機能には、過電流、過熱、 ESD 、過電圧保護用のドレイン - ゲート間クランプの機能が内蔵されています。このデバイスは保護機能を備え、過酷な車載環境に適しています。短絡保護 自動再起動によるサーマルシャットダウン 誘導型スイッチング用の一体型クランプ ESD保護 dV/dt 耐久性 アナログドライブ機能(ロジックレベル入力) 工場及び変更管理を必要とする車載などの用途には先頭に「 NCV 」の文字を使用します 最終製品 自動車 用途 さまざまな抵抗負荷、誘導負荷、静電容量負荷を切り替えます 電気機械式リレーとディスクリート回路を交換可能 ランプドライバ リレードライバ

ロジックタイプ = NOR。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 2。シュミットトリガ入力 = なし。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 5。論理回路 = TinyLogic HS。動作供給電圧 Max = 6 V。高レベル出力電流 Max = -2.6mA。動作供給電圧 Min = 2 V。低レベル出力電流 Max = 2.6mA。幅 = 1.7mm。TinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = 単一電源。回路数 = 2。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 32 V。動作温度 Max = +125 ℃。標準電圧ゲイン = 100 dB。幅 = 4mm。LM258、LM358、LM2904、NCV2904、シングル電源、デュアルオペアンプ、ON Semiconductor. ON Semiconductor のデュアルオペアンプシリーズは鮮やかです。真の差動入力を備え、 3 → 32 V のシングル供給電圧で動作できます。このオペアンプには、静止電流( MC1741 の 5 分の 1 )など、他のシングルオペアンプと比べて多くの利点があります。ESD クランプは、すべての入力ピンにも取り付けられます。 コモンモード入力範囲に負電源が含まれているため、他の用途でコンポーネントのバイアスが不要になります。出力電圧には、負の電源電圧が含まれます。. 特長と利点:. シングル電源動作： 3V ～ 32V コモンモード範囲は負電源まで拡張されます シングルおよびスプリット電源動作 低入力バイアス電流 内部補償 真の差動入力段 入力に ESD クランプを装備. 用途:. インテグレータ コンパレータ 電圧クランプ 電流レギュレータ リニア電圧レギュレータ

終端タイプ = USB回線終端。ビット数 = 2bit。標準抵抗 = 1.5 kΩ， 22 Ω。最大供給電流 = 10 nA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SC-88。ピン数 = 6。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。長さ = 2.2mm。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。動作供給電圧 Max = 5.25 V。動作温度 Max = +125 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。TVS / EMIフィルタデバイス. 単一のSMTデバイスでEMIフィルタリング、ESD保護、及びライン終端を採用した複合型統合ソリューション

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 8.7V。最小ブレークダウン電圧 = 5.89V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 3V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 24W。最大ピークパルス電流 = 2.7A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

ダイオード構成 = コモンアノード。最大クランピング電圧 = 46V。最小ブレークダウン電圧 = 31.35V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 26V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 40W。最大ピークパルス電流 = 0.87A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 21V。最小ブレークダウン電圧 = 14.25V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 24W。最大ピークパルス電流 = 1.9A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mm。TVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 11V。最小ブレークダウン電圧 = 6V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ピークパルスパワー消費 = 300W。最大ピークパルス電流 = 17A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 1.4mm。高速ライン保護のための300 W低静電容量TVS. 補償ダイオードにTVSダイオードを直列接続することで、静電容量を5 pF未満に抑制 ピーク定格出力: 300 W、8 x 20 μs

レギュレータタイプ = バックブーストスイッチングmA。出力電圧 = 50 mV。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 8。出力タイプ = 固定。最大スイッチング周波数 = 100 kHz。スイッチングレギュレータ = あり。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。幅 = 4mm。低入力オフセット電圧： 0.5 mV (標準 入力コモンモード範囲にはアースが含まれています 低静止電流： VCC = 5V でオペアンプあたり 75 μ A 大出力電圧スイング 広い電源電圧範囲： 3 → 36 V 高 ESD 保護： 2 kV 最終製品 バッテリ充電器 用途 スイッチモード電源

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 540 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-563。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.45V。最大パワー消費 = 250 mW。最大ゲート-ソース間電圧 = ±7 V。幅 = 1.3mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。20 V N チャンネルパワー MOSFET です。低 RDS ( on )により、システム効率が向上します 低しきい値電圧 省スペース： 1.6 x 1.6 mm ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント

ロジックタイプ = インバータ。出力タイプ = LSTTL。1チップ当たりのエレメント数 = 6。シュミットトリガ入力 = なし。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 105 ns @ 50 pF。高レベル出力電流 Max = -5.2mA。低レベル出力電流 Max = 5.2mA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 14。論理回路 = LS。寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm。動作供給電圧 Max = 6 Vmm。幅 = 4mm。74HCUファミリ、ON Semiconductor. 高速CMOSロジック(バッファなし) 供給電圧Vcc範囲: 2.0 → 6.0 V シンク又はソース: 4 mA @ Vcc = 4.5 V ESD保護は、JESD22の200 Vマシンモデル(A115-A)、2000 V人体モデル(A114-A)、1000 V帯電デバイスモデルに対応

パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 312 W。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mm。UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 70 m Ω (標準) @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nC ) 低 CRSs (標準) 60PF ) ESD改善機能 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2.2 x 1.35 x 0.9mm。NPN バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-323/SC-70 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意 用途: ESD保護 極性反転保護 データライン保護 誘導負荷保護 ステアリングロジック