13ページ目: トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1mm。汎用PNPトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 6 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 3 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 130 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 600 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 175 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 600 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 125 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 125 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 155 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1 x 2.9 x 1.3mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 806 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 160 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 80， 60。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号デュアルNPN/PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 30 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 350 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 200 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -400 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1000 mW。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 140 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.7 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc デュアル NPN/PNP トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -20 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 25 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 220。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2000 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.65 x 6.7 x 3.7mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 110。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -4.3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V。最大動作周波数 = 120 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.6 x 2.6 x 1.6mm。汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 2000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.01mA。幅 = 2.6mm。Diodes Inc ダーリントントランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = SOT-223。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3 + Tab。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 2000。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.95 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.13 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA。幅 = 3.7mm。Diodes Inc ダーリントントランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 225 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.1 x 3 x 1.4mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。汎用PNPトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 500。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.8 V。最大コレクタ-ベース間電圧 = 140 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA。寸法 = 4.77 x 2.41 x 4.01mm。Diodes Inc ダーリントントランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 300 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.65 x 6.7 x 3.7mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 250 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc