13ページ目: トランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -4.3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2.1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 120 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.6 x 2.6 x 1.6mm汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 2000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.01mA幅 = 2.6mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3 + Tabトランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 2000最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.95 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.13 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA幅 = 3.7mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 225 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.1 x 3 x 1.4mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用PNPトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 Vパッケージタイプ = E-Line実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 500最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.8 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 140 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.00001mA寸法 = 4.77 x 2.41 x 4.01mmDiodes Inc ダーリントントランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.65 x 6.7 x 3.7mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 806 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mm汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc