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エコロジープロダクト
PNP 高電圧トランジスタ 表面実装 3+1 (Tab)-PinDiodesZetex￥55,980税込￥61,578
1リール(1000個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ：PNP 、 最大DCコレクタ電流：500 mA 、 最大コレクタ- エミッタ間電圧：300 V 、 パッケージタイプ：SOT-223 、 実装タイプ：表面実装 、 最大パワー消費：2 W 、 最小DC電流ゲイン：50 、 トランジスタ構成：シングル 、 最大コレクタ-ベース間電圧：-300 V 、 最大エミッタ-ベース間電圧：-5 V 、 最大動作周波数：30 MHz 、 ピン数：3 + 1 (Tab) 、 1チップ当たりのエレメント数：1 、 動作温度 Min：-55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
NPN 抵抗内蔵トランジスタ 50V 100mA 1Ω 3-PinDiodesZetex￥2,398税込￥2,638
1袋(200個)
7日以内出荷
幅(mm)1.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応入力抵抗1KΩパッケージSOT-23実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大パワー消費(mW)200最大エミッタ-ベース間電圧(V)5抵抗比なし最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)0.3最大連続コレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン100
Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFETトランジスタINFINEON￥45,980税込￥50,578
1リール(1000個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：1.8 W●シリーズ：SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
WeEn Semiconductors Co.， Ltd NPN パワートランジスタ スルーホールWeEn Semiconductors Co.， Ltd￥5,898税込￥6,488
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ：NPN●最大DCコレクタ電流：12 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧：700 V●パッケージタイプ：TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費：80 W●最小DC電流ゲイン：6●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧：700 V●最大動作周波数：60 Hz●ピン数：3●1チップ当たりのエレメント数：1●最大ベース-エミッタ間飽和電圧：1.6 V●高電圧トランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ東芝￥879～税込￥967～
1袋(25個)
翌々日出荷
トランジスタタイプPNPトランジスタ構成シングル最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1
Toshiba NPN 抵抗内蔵トランジスタ東芝￥1,198税込￥1,318
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、VESM、東芝ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150内蔵抵抗器(ベースエミッタ)10kΩRoHS指令(10物質対応)対応入力抵抗1KΩパッケージVESM1チップ当たりのエレメント数1最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50最大エミッタ-ベース間電圧(V)5抵抗比0.1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)0.3トランジスタ構成シングル最大連続コレクタ電流(mA)100トランジスタタイプNPN最小DC電流ゲイン50
『ディスクリート』には他にこんなカテゴリがあります
- ディスクリートその他関連用品
- トランジスタ
- ダイオード
