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エコロジープロダクト

ROHM NPN トランジスタ, 60 V, 2 A, 3-Pin TSMT
ROHM¥2,398税込¥2,6381袋(25個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TSMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.85 x 2.9 x 1.6mmNPNパワートランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM PNP トランジスタ, 32 V, 800 mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
ROHM¥639税込¥7031袋(25個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 32 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mmPNP パワートランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM PNP トランジスタ, 32 V, 500mA, 3-Pin SOT-323 (SC-70)
ROHM¥169税込¥1861袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 32 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.25mmPNP小信号トランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 20 V, 300 mA, 3-Pin SOT-323 (SC-70)
東芝¥969税込¥1,0661袋(25個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = Si小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 20 V, 300 mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝¥639税込¥7031袋(25個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.5mm小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3P
東芝¥3,298税込¥3,6281袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiPNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 30 V, 500mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝¥1,998税込¥2,1981袋(50個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ, 230 V, 15 A, 3-Pin TO-3PN
東芝¥619税込¥6811個翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 15.5mmNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ, 30 V, 2 A, 8-Pin PS
東芝¥1,198税込¥1,3181袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PS実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.67 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 2.4 x 0.8mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP デジタルトランジスタ, 50V, 10 kΩ, 6-Pin SM
東芝¥329税込¥3621袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 (NPN) mA、-100 (PNP) mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 (NPN) V、-50 (PNP) V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 (NPN) V、-0.3 (PNP) V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 (NPN) V、-10 (PNP) V標準抵抗比 = 1寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmRNシリーズデュアルデジタルトランジスタ. 東芝のデュアルデジタルトランジスタ製品です。このデバイスは、バイアス抵抗器を内蔵しており、デジタルソースから直接駆動することができます。この製品の構成には、デュアルNPN、デュアルPNP、NPN+PNPなどがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ, 30 V, 2 A, 5-Pin SMV
東芝¥889税込¥9781袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2高さ = 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ, 30 V, 1.2 A, 5-Pin SMV
東芝¥239税込¥2631袋(10個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 850 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ, 50 V, 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝¥969税込¥1,0661袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN 高電圧 パワートランジスタ, 400 V, 2 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝¥1,198税込¥1,3181袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 5.5 x 2.3mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ, 80 V, 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝¥1,698税込¥1,8681袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 120 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ, 50 V, 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
東芝¥999税込¥1,0991袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.27 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ, 50 V, 2 A, 3-Pin TSM
東芝¥629税込¥6921袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -1.1 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 120 V, 100mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝¥479税込¥5271袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ, 120 V, 100mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝¥459税込¥5051袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 350トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 2 A, 4-Pin PWミニ
東芝¥1,098税込¥1,2081袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = PWミニ実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.6 x 4.6 x 2.5mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin USM
東芝¥299税込¥3291袋(10個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
東芝¥259税込¥2851袋(10個)当日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 22 kΩ, 3-Pin ESM
東芝¥239税込¥2631袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 22 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V標準抵抗比 = 0.47動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin ESM
東芝¥159税込¥1751袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin ESM
東芝¥159税込¥1751袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ
Toshiba PNP デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 2.2 kΩ, 3-Pin ESM
東芝¥159税込¥1751袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin ESM
東芝¥169税込¥1861袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin ESM
東芝¥159税込¥1751袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 6-Pin US
東芝¥1,598税込¥1,7581袋(25個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = USピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.25mm抵抗組み込みトランジスタ、BRTシリーズ、2イン1 US6、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ, 200 V, 15 A, 3-Pin TO-3PL
東芝¥869税込¥9561個翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 220 W最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 200 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 VNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ, 45 V, 3 A, 3-Pin SOT-32
STMicro¥1,398税込¥1,5381袋(20個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ, 400 V, 1 A, 3-Pin TO-220
STMicro¥1,198税込¥1,3181袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ, 250 V, 1 A, 3-Pin TO-220
STMicro¥1,098税込¥1,2081袋(5個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 9.15mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP トランジスタ, 100 V, 3 A, 3-Pin TO-220
STMicro¥879税込¥9671袋(5個)3日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 VPNPパワートランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ, 60 V, 3 A, 3-Pin TO-220
STMicro¥989税込¥1,0881袋(5個)翌々日出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃NPNパワートランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
『ディスクリート』には他にこんなカテゴリがあります
- ディスクリートその他関連用品
- トランジスタ
- ダイオード


















































