14ページ目: トランジスタ

Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-323 (SC-70)東芝

￥879税込￥967

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = Si小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝

￥519税込￥571

1袋(25個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.5mm小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3P東芝

￥2,998税込￥3,298

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiPNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP トランジスタ， 30 V， 500mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝

￥1,998税込￥2,198

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝

￥449税込￥494

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.4 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 8-Pin PS東芝

￥799税込￥879

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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PS実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.67 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 2.4 x 0.8mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NPN + PNP デジタルトランジスタ， 50V， 10 kΩ， 6-Pin SM東芝

￥329税込￥362

1袋(10個)

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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 (NPN) mA、-100 (PNP) mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 (NPN) V、-50 (PNP) V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 (NPN) V、-0.3 (PNP) V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 (NPN) V、-10 (PNP) V標準抵抗比 = 1寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmRNシリーズデュアルデジタルトランジスタ. 東芝のデュアルデジタルトランジスタ製品です。このデバイスは、バイアス抵抗器を内蔵しており、デジタルソースから直接駆動することができます。この製品の構成には、デュアルNPN、デュアルPNP、NPN+PNPなどがあります。RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 5-Pin SMV東芝

￥889税込￥978

1袋(10個)

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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2高さ = 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 1.2 A， 5-Pin SMV東芝

￥239税込￥263

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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 850 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 150mA， 6-Pin US東芝

￥299税込￥329

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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN パワートランジスタ， 50 V， 7 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝

￥1,698税込￥1,868

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.18 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN バイポーラトランジスタ， 30 V， 3 A， 3-Pin TSM東芝

￥819税込￥901

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.14 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝

￥879税込￥967

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN パワートランジスタ， 80 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝

￥1,198税込￥1,318

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 120 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP 高電圧パワートランジスタ， 600 V， 500mA， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝

￥449税込￥494

1袋(5個)

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝

￥849税込￥934

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.27 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP バイポーラトランジスタ， 20 V， 1.5 A， 3-Pin TSM東芝

￥299税込￥329

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 2 A， 3-Pin TSM東芝

￥599税込￥659

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -1.1 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN トランジスタ， 120 V， 100mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝

￥359税込￥395

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN トランジスタ， 120 V， 100mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝

￥359税込￥395

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 350トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM東芝

￥209税込￥230

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝

￥229税込￥252

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(1件のレビュー)

￥179税込￥197

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 22 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥209税込￥230

1袋(5個)

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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 22 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V標準抵抗比 = 0.47動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥139税込￥153

1袋(5個)

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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ

Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥149税込￥164

1袋(5個)

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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥139税込￥153

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仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥149税込￥164

1袋(5個)

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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM東芝

￥229税込￥252

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 6-Pin US東芝

￥1,398税込￥1,538

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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = USピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.25mm抵抗組み込みトランジスタ、BRTシリーズ、2イン1 US6、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 5-Pin SSOP東芝

￥1,398税込￥1,538

1袋(25個)

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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、2-in-1 SMV、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN パワートランジスタ， 200 V， 15 A， 3-Pin TO-3PL東芝

￥1,298税込￥1,428

1個

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 220 W最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 200 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 VNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN トランジスタ， 45 V， 3 A， 3-Pin SOT-32STMicro

￥1,198税込￥1,318

1袋(20個)

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN トランジスタ， 250 V， 1 A， 3-Pin TO-220STMicro

￥999税込￥1,099

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 9.15mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics PNP トランジスタ， 100 V， 3 A， 3-Pin TO-220STMicro

￥799税込￥879

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3日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 VPNPパワートランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN パワートランジスタ， 400 V， 5 A， 3-Pin TO-220STMicro

￥1,598税込￥1,758

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 800 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 250 V， 17 A， 3-Pin TO-264ON SEMICONDUCTOR

￥4,198税込￥4,618

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 17 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-264実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 55トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 VパワーNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 90 V， 30 A， 2-Pin TO-204AAON SEMICONDUCTOR

￥2,398税込￥2,638

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7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 90 Vパッケージタイプ = TO-204AA実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 Vピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 200 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥9,398税込￥10,338

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 450 V， 5 A， 3-Pin TO-220FON SEMICONDUCTOR

￥2,498税込￥2,748

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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1000 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応