14ページ目: トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 150 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 806 mW。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 180 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 140 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mm。汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc