RoHS
幅(mm)1.4
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
入力抵抗1KΩ
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50
最大パワー消費(mW)200
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
抵抗比なし
最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)0.3
最大連続コレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100
仕様●取り付けタイプ：DIN Rail●ディスプレイ込み：なし●併用可能製品：Alpha 2シリーズ●Digital Expansion Modules. These modules give additional I/O flexibility to Alpha 2 users. They fit alongside the Alpha 2 (see
シリーズAlpha 2
出力点数4
電源電圧(V)24dc
外形寸法(幅W×高さH×奥行D)(mm)5.1×90×24.5
モジュールタイプI/O Extension
出力タイプデジタル、トランジスタ
1個
￥17,980
税込￥19,778
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：1.8 W●シリーズ：SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
￥64,980
税込￥71,478
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ：NPN●最大DCコレクタ電流：12 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧：700 V●パッケージタイプ：TO-220AB●実装タイプ：スルーホール●最大パワー消費：80 W●最小DC電流ゲイン：6●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧：700 V●最大動作周波数：60 Hz●ピン数：3●1チップ当たりのエレメント数：1●最大ベース-エミッタ間飽和電圧：1.6 V●高電圧トランジスタ、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥5,898
税込￥6,488
7日以内出荷
トランジスタタイプPNP
トランジスタ構成シングル
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
仕様抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、VESM、東芝
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
内蔵抵抗器(ベースエミッタ)10kΩ
RoHS指令(10物質対応)対応
入力抵抗1KΩ
パッケージVESM
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)50
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
抵抗比0.1
最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)0.3
トランジスタ構成シングル
最大連続コレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン50
1袋(50個)
￥1,198
税込￥1,318
6日以内出荷
仕様汎用NPNトランジスタ、東芝
幅(mm)5.5
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80
最大パワー消費(W)10
最大エミッタ-ベース間電圧(V)9
最大コレクタ-ベース間電圧(V)160
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)3
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100
最大動作周波数(MHz)150
1袋(10個)
￥999
税込￥1,099
翌々日出荷
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
トランジスタ構成シングル
トランジスタタイプNPN
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