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エコロジープロダクト
Taiwan Semiconductor NPN トランジスタ スルーホールTAIWAN SEMICONDUCTOR￥2,798～税込￥3,078～
1袋(250個)ほか
5日以内出荷から7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN パワートランジスタ 表面実装STMicro￥1,998～税込￥2,198～
1袋(25個)ほか
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ：NPN最大DCコレクタ電流：1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧：80 Vパッケージタイプ：SOT-223実装タイプ：表面実装最大パワー消費：1.6 W最小DC電流ゲイン：25トランジスタ構成：シングル最大コレクタ-ベース間電圧：100 V最大エミッタ-ベース間電圧：5 Vピン数：3 + Tab1チップ当たりのエレメント数：1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧：0.5 V汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ 表面実装STMicro￥1,698税込￥1,868
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ：NPN最大DCコレクタ電流：200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧：1400 Vパッケージタイプ：SOT-223実装タイプ：表面実装最大パワー消費：1.6 W最小DC電流ゲイン：3トランジスタ構成：シングル最大エミッタ-ベース間電圧：6 Vピン数：3 + Tab1チップ当たりのエレメント数：1最大ベース-エミッタ間飽和電圧：0.8 V汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM NPN トランジスタ， 60 V， 2 A， 3-Pin TSMTROHM￥1,898税込￥2,088
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TSMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.85 x 2.9 x 1.6mmNPNパワートランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM NPN トランジスタ， 120 V， 50 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)ROHM￥659税込￥725
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7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 180トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mmNPN小信号トランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM NPN トランジスタ， 20 V， 50 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)ROHM￥639税込￥703
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 82トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 1500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1.1mmRFバイポーラトランジスタ、ローム. RFアンプやHF発振器などの用途に適した、ROHMワイドバンド高周波数バイポーラ接合トランジスタです。RoHS指令(10物質対応)対応
ROHM PNP トランジスタ， 80 V， 500mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)ROHM￥849税込￥934
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翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 180 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 VPNP小信号トランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM PNP トランジスタ， 32 V， 800 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)ROHM￥639税込￥703
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翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 32 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mmPNP パワートランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM PNP トランジスタ， 32 V， 500mA， 3-Pin SOT-323 (SC-70)ROHM￥169税込￥186
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翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 32 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.25mmPNP小信号トランジスタ、ロームRoHS指令(10物質対応)対応
ROHM NPN 抵抗器内蔵型トランジスタ， 50 V， 100 mA， 1 kΩ， 3-Pin SOT-323FLROHM￥1,498税込￥1,648
1袋(250個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 1 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323FLピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30最大パワー消費 = 200 mW標準抵抗比 = 10構成 = シングル長さ = 2.1mmデュアル抵抗内蔵デジタルNPNトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3PL東芝￥9,198税込￥10,118
1袋(5個)
予約販売
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiNPNパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 20 V， 300 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥519税込￥571
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翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.5mm小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3P東芝￥2,698税込￥2,968
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiPNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 30 V， 500mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥1,998税込￥2,198
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,598税込￥1,758
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.4 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 230 V， 15 A， 3-Pin TO-3PN東芝￥2,698税込￥2,968
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -3 VPNPパワートランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 8-Pin PS東芝￥779税込￥857
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PS実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.67 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 2.4 x 0.8mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP デジタルトランジスタ， 50V， 10 kΩ， 6-Pin SM東芝￥329税込￥362
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仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 (NPN) mA、-100 (PNP) mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 (NPN) V、-50 (PNP) V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 (NPN) V、-0.3 (PNP) V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 (NPN) V、-10 (PNP) V標準抵抗比 = 1寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmRNシリーズデュアルデジタルトランジスタ. 東芝のデュアルデジタルトランジスタ製品です。このデバイスは、バイアス抵抗器を内蔵しており、デジタルソースから直接駆動することができます。この製品の構成には、デュアルNPN、デュアルPNP、NPN+PNPなどがあります。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 2 A， 5-Pin SMV東芝￥889税込￥978
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2高さ = 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 30 V， 1.2 A， 5-Pin SMV東芝￥239税込￥263
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 1.2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SMV実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 850 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-ベース間電圧 = -30 V、50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 (NPN) V、-7 (PNP) Vピン数 = 51チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN + PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 150mA， 6-Pin US東芝￥299税込￥329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = US実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 (NPN) V、-5 (PNP) V最大動作周波数 = 120 (PNP) MHz、150 (NPN) MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアルNPN/PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
『ディスクリート』には他にこんなカテゴリがあります
- ディスクリートその他関連用品
- トランジスタ
- ダイオード
