仕様汎用NPNトランジスタ、東芝
幅(mm)5.5
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80
最大パワー消費(W)10
最大エミッタ-ベース間電圧(V)9
最大コレクタ-ベース間電圧(V)160
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)3
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100
最大動作周波数(MHz)150
1袋(10個)
¥999
税込¥1,099
翌々日出荷
仕様NPNダーリントントランジスタ、東芝
幅(mm)6.5
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大連続コレクタ電流(A)4
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)80
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタカットオフ電流(mA)0.02
最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)1.5
最大ベース-エミッタ間飽和電圧(V)2
最大コレクタ-ベース間電圧(V)100
トランジスタ構成シングル
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン2000
1袋(5個)
¥1,098
税込¥1,208
翌々日出荷
1リール(2500個)
¥379,800
税込¥417,780
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ:NPN最大DCコレクタ電流:1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧:80 Vパッケージタイプ:SOT-223実装タイプ:表面実装最大パワー消費:1.6 W最小DC電流ゲイン:25トランジスタ構成:シングル最大コレクタ-ベース間電圧:100 V最大エミッタ-ベース間電圧:5 Vピン数:3 + Tab1チップ当たりのエレメント数:1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧:0.5 V汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様トランジスタタイプ:NPN最大DCコレクタ電流:200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧:1400 Vパッケージタイプ:SOT-223実装タイプ:表面実装最大パワー消費:1.6 W最小DC電流ゲイン:3トランジスタ構成:シングル最大エミッタ-ベース間電圧:6 Vピン数:3 + Tab1チップ当たりのエレメント数:1最大ベース-エミッタ間飽和電圧:0.8 V汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TSMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.85 x 2.9 x 1.6mmNPNパワートランジスタ、ROHM
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥1,798
税込¥1,978
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 82トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 1500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃RFバイポーラトランジスタ、ローム. RFアンプやHF発振器などの用途に適した、ROHMワイドバンド高周波数バイポーラ接合トランジスタです。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥489
税込¥538
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 180トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 140 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mmNPN小信号トランジスタ、ローム
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥659
税込¥725
翌々日出荷
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- トランジスタ
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