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Toshiba NPN パワートランジスタ， 50 V， 7 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,698税込￥1,868
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 160トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.18 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN バイポーラトランジスタ， 30 V， 3 A， 3-Pin TSM東芝￥519税込￥571
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予約販売
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.14 V汎用NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN 高電圧 パワートランジスタ， 400 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥559税込￥615
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翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 6.5 x 5.5 x 2.3mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN RFトランジスタ， 高周波， 12 V， 80 mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥589税込￥648
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V最大動作周波数 = 7000 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.5 x 1.1mmRFバイポーラトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP 高電圧 パワートランジスタ， 600 V， 500mA， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥1,198税込￥1,318
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 W最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -600 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V最大動作周波数 = 35 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 5.5mm高電圧トランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP パワートランジスタ， 50 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)東芝￥829税込￥912
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.27 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ， 20 V， 1.5 A， 3-Pin TSM東芝￥299税込￥329
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 750 mW最小DC電流ゲイン = 125トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.6mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP バイポーラトランジスタ， 50 V， 2 A， 3-Pin TSM東芝￥559税込￥615
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -1.1 V汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 120 V， 100mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥359税込￥395
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN トランジスタ， 120 V， 100mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝￥359税込￥395
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 350トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 2 A， 4-Pin PWミニ東芝￥699税込￥769
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = PWミニ実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 Vピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.6 x 4.6 x 2.5mm汎用PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM東芝￥209税込￥230
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin SOT-346 (SC-59)東芝(1件のレビュー)￥179税込￥197
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 22 kΩ， 3-Pin ESM東芝￥189税込￥208
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 22 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V標準抵抗比 = 0.47動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM東芝￥129税込￥142
1袋(5個)
予約販売
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM東芝￥129税込￥142
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM東芝￥129税込￥142
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236)東芝￥1,998税込￥2,198
1袋(200個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50最大パワー消費 = 200 mW最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1構成 = シングル高さ = 1.1mmRNシリーズシングルデジタルトランジスタ. 東芝のシングルデジタルトランジスタです。バイアス抵抗器を内蔵し、デジタルソースから直接駆動できます。NPNタイプとPNPタイプの両タイプが用意されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 6-Pin US東芝￥879税込￥967
1袋(25個)
6日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = USピン数 = 6最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.25mm抵抗組み込みトランジスタ、BRTシリーズ、2イン1 US6、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba デュアル NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 5-Pin SSOP東芝￥739税込￥813
1袋(25個)
6日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 2最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩベースエミッタ抵抗器 = 4.7kΩパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = コモンエミッタ最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、2-in-1 SMV、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN トランジスタ， 45 V， 3 A， 3-Pin SOT-32STMicro￥1,198税込￥1,318
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃汎用NPNトランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics PNP トランジスタ， 100 V， 3 A， 3-Pin TO-220STMicro￥659税込￥725
1袋(5個)
3日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 VPNPパワートランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN パワートランジスタ， 400 V， 5 A， 3-Pin TO-220STMicro￥1,498税込￥1,648
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 800 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧トランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 250 V， 17 A， 3-Pin TO-264ON SEMICONDUCTOR￥4,198税込￥4,618
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 17 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-264実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 55トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 VパワーNPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 90 V， 30 A， 2-Pin TO-204AAON SEMICONDUCTOR￥2,298税込￥2,528
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 90 Vパッケージタイプ = TO-204AA実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 200 W最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 Vピン数 = 21チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 450 V， 5 A， 3-Pin TO-220FON SEMICONDUCTOR￥2,598税込￥2,858
1袋(10個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1000 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor クワッド NPN トランジスタ， 40 V， 500mA， 16-Pin SOICON SEMICONDUCTOR￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 161チップ当たりのエレメント数 = 4最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 Vデュアル及びクワッドマルチチップトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 12 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)￥1,449税込￥1,594
1袋(10個)
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 100 W最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 60 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥1,998税込￥2,198
1袋(50個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 80 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥2,298税込￥2,528
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 300 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥1,698税込￥1,868
1袋(100個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 4.58mm高電圧PNPトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 600 V， 2 A， 3-Pin DPAK (TO-252)ON SEMICONDUCTOR￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 3トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 1200 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ， 160 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥2,498税込￥2,748
1袋(50個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 160 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 900 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.9mm小信号NPNトランジスタ、100 V超、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル JFETトランジスタ， 15 V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR￥3,398税込￥3,738
1枚(50個)
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仕様チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 → -25mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 300 V， 100mA， 3-Pin TO-126ON SEMICONDUCTOR￥5,919税込￥6,511
1本(60個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-126実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 7 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.25mm高電圧PNPトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥1,998税込￥2,198
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仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 2mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥2,698税込￥2,968
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm幅 = 4.19mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥2,198税込￥2,418
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲート オンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm長さ = 5.2mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥1,798税込￥1,978
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 40mA最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 25Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 85pFソースゲート オンキャパシタンス = 85pF寸法 = 4.58 x 3.86 x 4.58mm長さ = 4.58mmNチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ， 350 V， 500mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR￥1,898税込￥2,088
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 350 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -350 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃高電圧PNPトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
『ディスクリート』には他にこんなカテゴリがあります
- ディスクリートその他関連用品
- トランジスタ
- ダイオード
