17ページ目: トランジスタ


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ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
319税込351
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 400 V, 4 A, 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 400 V, 4 A, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR
1,498税込1,648
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.83mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 25 V, 1.5 A, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 25 V, 1.5 A, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
339税込373
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 V小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 600 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 600 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
249税込274
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 25 V, 50 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 25 V, 50 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
129税込142
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 VRFバイホーラトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR
319税込351
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V標準抵抗比 = 1幅 = 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor デュアル NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 6-Pin SOT-363 (SC-88) ON SEMICONDUCTORON Semiconductor デュアル NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 6-Pin SOT-363 (SC-88)ON SEMICONDUCTOR
479税込527
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 380 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = 絶縁型最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.6 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 800 mA, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 800 mA, 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR
859税込945
1袋(20個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 350 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.93 x 2.92 x 1.3mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 45 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
339税込373
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ, 30 V, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ, 30 V, 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR
349税込384
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仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 50 → 150mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm長さ = 2.9mmNチャンネルJFET、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 80 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 80 V, 500mA, 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR
649税込714
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 150 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 150 V, 500mA, 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR
129税込142
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7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 160 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR
389税込428
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR
639税込703
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号NPNトランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 200 mA, 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR
399税込439
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7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 250 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 0.94 x 2.9 x 1.3mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 150 V, 8 A, 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 150 V, 8 A, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR
289税込318
1個
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 10 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 60 V, 10 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR
179税込197
1個
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 40 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 450 V, 5 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 450 V, 5 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR
279税込307
1個
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 13 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR
229税込252
1袋(20個)
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 0.9 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 150mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
15,980税込17,578
1リール(2000個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 400 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR
899税込989
1袋(200個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.6 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 250 V, 8 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 250 V, 8 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR
1,398税込1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 9.28mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-225 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP パワートランジスタ, 300 V, 500mA, 3-Pin TO-225ON SEMICONDUCTOR
2,498税込2,748
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = TO-225実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 11.04mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia デュアル NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 6-Pin SOT-457 (SC-74) nexperiaNexperia デュアル NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 6-Pin SOT-457 (SC-74)nexperia
1,498税込1,648
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-457 (SC-74)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = カレントミラー最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2幅 = 1.7mm汎用NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 nexperiaNexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23nexperia
1,598税込1,758
1リール(200個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm汎用PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN トランジスタ, 400 V, 1 A, 3 + Tab-Pin SOT-223 nexperiaNXP NPN トランジスタ, 400 V, 1 A, 3 + Tab-Pin SOT-223nexperia
1,798税込1,978
1枚(25個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.45 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.7mm高電圧トランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin UMT nexperiaNXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin UMTnexperia
569税込626
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin UMT nexperiaNXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin UMTnexperia
589税込648
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMT nexperiaNXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMTnexperia
669税込736
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
559税込615
1袋(50個)
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.1 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMT nexperiaNXP NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin UMTnexperia
689税込758
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Max = +150 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
1,198税込1,318
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 10 kΩ, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
209税込230
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仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
519税込571
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
539税込593
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 12 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 12 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
349税込384
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
499税込549
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin UMT nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin UMTnexperia
379税込417
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperiaNexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia
399税込439
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin UMT nexperiaNexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin UMTnexperia
229税込252
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1 x 2.2 x 1.35mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

ディスクリート』には他にこんなカテゴリがあります

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