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エコロジープロダクト
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -3 A， BD242CGonsemi￥4,598税込￥5,058
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -90 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 40 W●最小DC電流ゲイン ： 25●トランジスタ構成 ： シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 10.53×4.83×15.75mm●汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計された 3 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタです。BD241C ( NPN )、 BD242B ( PNP )、 BD242C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ： 1.2 V dc (最大) @ IC ： 3.0 ADC コレクタ - エミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) ： 80 V dc (最小) BD242B ： 100 V dc (最小) BD241C 、 BD242C 高電流ゲイン帯域幅製品 fT ： 3.0 MHz (最小) @ IC ： 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -10 A， MJE2955TGonsemi￥5,498税込￥6,048
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -60 V●パッケージタイプ ： TO-220AB●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 75 W●最小DC電流ゲイン ： 20●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 70 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 2 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 9.28×10.28×4.82mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -16 A， MJL21193Gonsemi￥14,980税込￥16,478
1セット(25個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -16 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -250 V●パッケージタイプ ： TO-264●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 200 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 400 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 20.3×5.3×29mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 1 A， TIP47Gonsemi￥5,098税込￥5,608
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 1 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 250 V●パッケージタイプ ： TO-220AB●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 40 W●最小DC電流ゲイン ： 30●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 350 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 2 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -4 A， 2N5195Gonsemi￥1,098税込￥1,208
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -80 V●パッケージタイプ ： TO-225AA●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 40 W●最小DC電流ゲイン ： 20●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -3 A， MJE172Gonsemi￥1,198税込￥1,318
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -80 V●パッケージタイプ ： TO-225AA●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 12.5 W●最小DC電流ゲイン ： 50●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 7 V●最大動作周波数 ： 10 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、1 A超、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -3 A， TIP32CGonsemi￥2,998税込￥3,298
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -100 V●パッケージタイプ ： TO-220AB●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 2 W●最小DC電流ゲイン ： 10●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 3 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， PNP， スルーホール， -16 A， MJ15023Gonsemi￥75,980税込￥83,578
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大DCコレクタ電流 ： -16 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： -200 V●パッケージタイプ ： TO-204●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 250 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 350 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●最大動作周波数 ： 4 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +200 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， PNP， 表面実装， -500 mA， DTB143EKT146ROHM￥439税込￥483
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -500 mA●パッケージタイプ： SMT●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 47●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ベースエミッタ抵抗器： 4.7kΩ●デュアル抵抗内蔵デジタルPNPトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 500 mA， DTD123YCHZGT116ROHM￥739税込￥813
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-23●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC014YUBTLROHM￥989税込￥1,088
1袋(200個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-323FL●実装タイプ： 表面実装●最大パワー消費： 200 mW●最小DC電流ゲイン： 68●トランジスタ構成： コモンエミッタ●最大エミッタ-ベース間電圧： 50 V●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●標準抵抗比： 4.7kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 500 mA， DTD543EMT2LROHM￥689税込￥758
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 12 V●パッケージタイプ： SOT-723●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 115●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ROHM デジタルトランジスタには抵抗器が内蔵されているので、外部入力抵抗器を接続することなくインバータ回路を構成できます。インバータ、インターフェイス、ドライバで使用されます。簡単な回路設計RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， PNP， 表面実装， -100 mA， DTA114TKAT146ROHM￥419税込￥461
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -50 V●パッケージタイプ： SOT-346●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 100●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC114EU3HZGT106ROHM￥549税込￥604
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-323 (SC-70)●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 30●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， PNP， 表面実装， -100 mA， DTA014YMT2LROHM￥1,198税込￥1,318
1袋(250個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -50 V●パッケージタイプ： SOT-723●実装タイプ： 表面実装●最大パワー消費： 150 mW●最小DC電流ゲイン： 68●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●標準抵抗比： 4.7kΩ●デュアル抵抗内蔵デジタルPNPトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC143EKAT146ROHM￥199税込￥219
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●パッケージタイプ： SMT●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 20●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ベースエミッタ抵抗器： 4.7kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC144EKAT146ROHM￥189税込￥208
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●パッケージタイプ： SMT●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 68●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●標準抵抗比： 1mm●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC114EETLROHM￥459税込￥505
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-416●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 30●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC114YMFHAT2LROHM￥1,198税込￥1,318
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-723●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 68●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ローム ROHM デジタルトランジスタにはバイアス抵抗器と内蔵トランジスタがあり、外部入力抵抗器を接続することなくインバータ回路を構成できます。インバータ、インターフェイス、ドライバで使用されます。簡単な回路設計RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC114ECAT116ROHM￥2,898税込￥3,188
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-23●実装タイプ： 表面実装●最大パワー消費： 200 mW●トランジスタ構成： コモンエミッタ●最大エミッタ-ベース間電圧： 50 V●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●標準抵抗比： 1kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC143XCAHZGT116ROHM￥1,398税込￥1,538
1袋(200個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-23●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ローム ROHM デジタルトランジスタにはバイアス抵抗器と内蔵トランジスタがあり、外部入力抵抗器を接続することなくインバータ回路を構成できます。インバータ、インターフェイス、ドライバで使用されます。簡単な回路設計RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， PNP， 表面実装， -100 mA， DTA114EKAT146ROHM￥169税込￥186
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -100 mA●パッケージタイプ： SMT●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 30●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ベースエミッタ抵抗器： 10kΩ●デュアル抵抗内蔵デジタルPNPトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC114EMT2LROHM￥979税込￥1,077
1袋(150個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SC-105AA●実装タイプ： 表面実装●最大パワー消費： 150 mW●最小DC電流ゲイン： 30●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●標準抵抗比： 1kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 500 mA， DTD113ZKT146ROHM￥459税込￥505
1袋(5個)
翌々日出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-346 (SC-59)●実装タイプ： 表面実装●最大パワー消費： 200 mW●最小DC電流ゲイン： 56●トランジスタ構成： シングル●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ベースエミッタ抵抗器： 10kΩ●ローム デュアル抵抗器デジタルNPNトランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， DTC143ZCAHZGT116ROHM￥1,498税込￥1,648
1袋(200個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大DCコレクタ電流： 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： SOT-23●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1RoHS指令(10物質対応)対応
ローム 抵抗内蔵トランジスタ， PNP， 表面実装， -100 mA， DTA143TKAT146ROHM￥1,098税込￥1,208
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大DCコレクタ電流： -100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： -50 V●パッケージタイプ： SOT-346●実装タイプ： 表面実装●最小DC電流ゲイン： 100●ピン数： 3●1チップ当たりのエレメント数： 1●ローム ROHM デジタルトランジスタにはバイアス抵抗器と内蔵トランジスタがあり、外部入力抵抗器を接続することなくインバータ回路を構成できます。インバータ、インターフェイス、ドライバで使用されます。簡単な回路設計RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia トランジスタ， NPN， 表面実装， 100 mA， BCX70Knexperia￥1,998税込￥2,198
1袋(200個)
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 380トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 3 A， FZT649onsemi￥2,198税込￥2,418
1袋(20個)
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 55 mA， BFP843H6327XTSA1INFINEON￥1,998税込￥2,198
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 55 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 2.25 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装ピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 80 mA， BF771E6327HTSA1INFINEON￥45,980税込￥50,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 150 mA， BFP650FH6327XTSA1INFINEON￥989税込￥1,088
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 25 mA， BFP720H6327XTSA1INFINEON￥609税込￥670
1袋(15個)
7日以内出荷
SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 25 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 13 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 1.2 Vピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 80 mA， BFR380FH6327XTSA1INFINEON￥349税込￥384
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 Vパッケージタイプ = TSFP-3-1実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon バイポーラトランジスタ， NPN， 表面実装， 35 mA， BFR182E6327HTSA1INFINEON￥499税込￥549
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 35 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 80 mA， BFR193WH6327XTSA1INFINEON￥35,980税込￥39,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 7 A， FZT849TADiodesZetex￥239税込￥263
1個
5日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 3 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.65 x 6.7 x 3.7mmDiodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超RoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， PNP， 表面実装， -5.5 A， FZT949TADiodesZetex￥73,980税込￥81,378
1セット(1000個)
5日以内出荷
汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc
仕様トランジスタタイプ = PNP、最大DCコレクタ電流 = -5.5 A、最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -30 V、パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)、実装タイプ = 表面実装、最大パワー消費 = 3 W、最小DC電流ゲイン = 100、トランジスタ構成 = シングル、最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V、最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V、最大動作周波数 = 100 MHz、ピン数 = 3 + Tab、1チップ当たりのエレメント数 = 1、動作温度 Max = +150 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 5 A， ZXTN2031FTADiodesZetex￥199,800税込￥219,780
1セット(3000個)
5日以内出荷
Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.56 W最小DC電流ゲイン = 190トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 125 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.05 x 1.4 x 1mmRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 3 A， FZT649TADiodesZetex￥41,980税込￥46,178
1セット(1000個)
5日以内出荷
Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 240 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
DiodesZetex トランジスタ， NPN， 表面実装， 300 mA， FZT458TADiodesZetex￥42,980税込￥47,278
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高電圧トランジスタ、Diodes Inc
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 300 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、Diodes IncRoHS指令(10物質対応)対応
『ディスクリート』には他にこんなカテゴリがあります
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