6ページ目: トランジスタ

小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.25 W最小DC電流ゲイン = 100， 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.6 W最小DC電流ゲイン = 16トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 Vピン数 = 3 + Tab1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 20 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 2 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmPNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mmPNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2000 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 10 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 2 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 15 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2800 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 90 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大動作周波数 = 3 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 20 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 3 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -300 Vパッケージタイプ = SOT-32実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 20.8 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.8 x 7.8 x 2.7mm高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 6 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 65 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmSTMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 385 mW最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 Vピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 385 mW最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 Vピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mmこのシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2標準抵抗比 = 1mmデュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN/PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mmデュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-563実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = デュアルピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2ベースエミッタ抵抗器 = 10kΩこのシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. シングル抵抗デジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = -100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルPNPトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 256 mWトランジスタ構成 = 絶縁型ピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2標準抵抗比 = 0.047mmデュアル抵抗デュアルデジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 200 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 W最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mmNPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 400 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = なしmm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. シングル抵抗デジタルトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 1mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SC-75実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWトランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1.65 x 0.9 x 0.8mm

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1標準抵抗比 = 0.12mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -65 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm