ディスクリート：「SMA」の検索結果

ON Semiconductor LEDドライバ IC， 350 mA， 50 V， 2-Pin SMCON SEMICONDUCTOR

￥869税込￥956

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仕様セグメント数 = 1最大供給電流 = 350 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMCピン数 = 2標準動作供給電圧 = 50 V寸法 = 7.11 x 6.1 x 2.41mm高さ = 2.41mm長さ = 7.11mm動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃幅 = 6.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

Murata SMDコモンモードフィルタ・チョーク， 330mA， 2 x 1.2 x 1.2mm， DLW21SN900SQ2LMURATA(村田製作所)

￥169税込￥186

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仕様●最大直流電流： 330mA●パッケージ/ケース： 0805 (2012M)●長さ： 2mm●奥行き： 1.2mm●高さ： 1.2mm●寸法： 2×1.2×1.2mm●許容差： ±25%●最大直流抵抗： 350mΩ●シリーズ： DLW21S●動作温度 Min： -40℃●村田製作所0805 DLW21SシリーズSMDコモンモードチョーク. DLW21Sシリーズでは、高結合により高速信号伝送の歪みなしで差動信号ラインのノイズを抑制することができます。. 用途. PC、周辺機器のUSBラインノートPC、LCDのLVDSラインデジタルカメラなどの小型デジタルAV機器のUSBラインRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥139税込￥153

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V標準抵抗比 = 0.21、1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥149税込￥164

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ東芝

￥139税込￥153

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 90 nsMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Diode Small Signal - 1N4148SPARKFUN

￥80税込￥88

1個

当日出荷

Littelfuse TVSダイオード，単方向，表面実装， 53.3V， SMCJ33ALITTELFUSE

￥599税込￥659

1袋(10個)

5日以内出荷

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 28.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmSMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

RoHS指令(10物質対応)対応

Taiwan Semiconductor TVSダイオード，双方向，表面実装， 42.1V， SMBJ26CATAIWAN SEMICONDUCTOR

￥2,398税込￥2,638

1袋(50個)

5日以内出荷

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 42.1V最小ブレークダウン電圧 = 28.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 14.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクションピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能低インクリメンタルサージ抵抗高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

RoHS指令(10物質対応)対応

Bourns TVSダイオード，単方向，表面実装， 38.9V， SMBJ24ABOURNS

￥919税込￥1,011

1袋(50個)

4日以内出荷

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 50AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmSMBJシリーズ600 W TVSダイオード、単方向

RoHS指令(10物質対応)対応

Littelfuse 単方向 TVSダイオードLITTELFUSE

￥679～税込￥747～

1袋(25個)ほか

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Vishay スイッチングダイオードVISHAY

￥32,980税込￥36,278

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Saia-Burgess マイクロスイッチローラレバーSAIA-BURGESS

￥969～税込￥1,066～

1個ほか

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RoHS指令(10物質対応)対応

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Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥139税込￥153

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1幅 = 0.8mm抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥139税込￥153

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ

Toshiba NPN トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM東芝

￥229税込￥252

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Pチャンネル MOSFET， 20 V， 330 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ東芝

￥289税込￥318

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP トランジスタ， 50 V， 150mA， 3-Pin USM東芝

￥209税込￥230

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V小信号PNPトランジスタ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 20 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ東芝

￥299税込￥329

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba PNP デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 2.2 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥139税込￥153

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 2.2 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V標準抵抗比 = 0.047動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥149税込￥164

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 22 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥209税込￥230

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 22 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 80トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V標準抵抗比 = 0.47動作温度 Max = +150 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

ROHM PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 250 mA， 3 ピンパッケージTSMTROHM

￥899税込￥989

1袋(10個)

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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 250 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = TSMT実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 200 mW長さ = 2.9mmPチャンネルMOSFETトランジスタ、ROHMRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSOT-346 (SC-59) SSM3 シリーズ東芝

￥219税込￥241

1袋(10個)

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 200 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 20 V， 50 mA， 3 ピンパッケージUSM 2SK シリーズ東芝

￥289税込￥318

1枚(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 4.7 kΩ， 3-Pin ESM東芝

￥149税込￥164

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 4.7 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = ESMピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -55 ℃抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル MOSFET， 20 V， 500 mA， 3 ピンパッケージUFM SSM3 シリーズ東芝

￥379税込￥417

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.52 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = UFM実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 500 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 46 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba Nチャンネル小信号 MOSFET， 30 V， 100 mA， 3 ピンパッケージSSM SSM3 シリーズ東芝

￥259税込￥285

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 100 mW標準ターンオフ遅延時間 = 180 nsMOSFET Nチャンネル、SSM3Kシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応

RN-SMA-SMICROCHIP

￥1,298税込￥1,428

1個

当日出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

Taiwan Semiconductor TVSダイオード，双方向，表面実装， 35.5V， SMBJ22CATAIWAN SEMICONDUCTOR

￥1,198税込￥1,318

1袋(50個)

5日以内出荷

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 35.5V最小ブレークダウン電圧 = 24.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 22Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 16.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクションピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能低インクリメンタルサージ抵抗高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

RoHS指令(10物質対応)対応

HY Electronic Corp TVSダイオード，双方向，表面実装， 12V， SMBJ7.0CAHY Electronic Corp

￥39,980税込￥43,978

1セット(3000個)

5日以内出荷

TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、HY Electronic (Cayman) Limited. HY Electronic (Cayman) Limited製の双方向SMBJシリーズは、表面実装(SMT)の過渡電圧サプレッサです。電気回路におけるサージ保護機能を備えており、5 ns未満の高速な応答時間を備えています。極性: 双方向プラスチック材質: UL94V-0認定パッケージ: SMT 逆電圧範囲: 5 → 170 V 消費電力量: 600 W

仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 12V最小ブレークダウン電圧 = 7.78V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 7Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 50A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm最大逆漏れ電流 = 200μARoHS指令(10物質対応)対応

Taiwan Semiconductor TVSダイオード，単方向，表面実装， 87.1V， SMBJ54ATAIWAN SEMICONDUCTOR

￥3,698税込￥4,068

1セット(50個)

5日以内出荷

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 87.1V最小ブレークダウン電圧 = 60V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 54Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 6.9A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクションピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能低インクリメンタルサージ抵抗高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

RoHS指令(10物質対応)対応

Littelfuse TVSダイオード，双方向，表面実装， 29.2V， SMBJ18CALITTELFUSE

￥459税込￥505

1袋(10個)

5日以内出荷

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 29.2V最小ブレークダウン電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 18Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 20.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

RoHS指令(10物質対応)対応

Littelfuse TVSダイオード，双方向，表面実装， 69.4V， SMBJ43CALITTELFUSE

￥289税込￥318

1袋(10個)

5日以内出荷

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 69.4V最小ブレークダウン電圧 = 47.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 43Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 8.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.237mmTVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

RoHS指令(10物質対応)対応

バリエーション一覧へ(2)

Taiwan Semiconductor TVSダイオード，単方向，表面実装， 69.4V， SMCJ43ATAIWAN SEMICONDUCTOR

￥979税込￥1,077

1セット(20個)

5日以内出荷

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 69.4V最小ブレークダウン電圧 = 47.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 43Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 21.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.25mm過渡電圧サプレッサSMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクションピークパルス電力容量: 1500 W 優れたクランプ機能低インクリメンタルサージ抵抗高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

RoHS指令(10物質対応)対応

Taiwan Semiconductor TVSダイオード，単方向，表面実装， 137V， SMBJ85ATAIWAN SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

1セット(50個)

5日以内出荷

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 137V最小ブレークダウン電圧 = 94.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 85Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 4.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクションピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能低インクリメンタルサージ抵抗高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

RoHS指令(10物質対応)対応

Littelfuse TVSダイオード，双方向，表面実装， 48.4V， SMCJ30CALITTELFUSE

￥91,980税込￥101,178

1セット(3000個)

5日以内出荷

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 31A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmSMT双方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

RoHS指令(10物質対応)対応

Taiwan Semiconductor TVSダイオード，双方向，表面実装， 32.4V， SMBJ20CATAIWAN SEMICONDUCTOR

￥2,898税込￥3,188

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方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 32.4V最小ブレークダウン電圧 = 22.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 20Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 18.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクションピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能低インクリメンタルサージ抵抗高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

RoHS指令(10物質対応)対応

Taiwan Semiconductor TVSダイオード，双方向，表面実装， 243V， SMBJ150CATAIWAN SEMICONDUCTOR

￥2,598税込￥2,858

1袋(50個)

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方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 243V最小ブレークダウン電圧 = 167V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 150Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 2.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.95mm過渡電圧サプレッサ、SMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクションピークパルス電力容量: 600 W 優れたクランプ機能低インクリメンタルサージ抵抗高速な応答時間 UL認定: #E258596 難燃性等級: UL94V-0

RoHS指令(10物質対応)対応

Lumberg Automation，センサアクチュエータケーブル， 24 AWG，コア数：3， RSMF 3シリーズLumberg Automation

￥2,998税込￥3,298

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仕様シリーズ = RSMF 3芯数 = 3長さ = 500mmコネクタ1 = M8コネクタ 2 = 未処理終端コーディング = A取り付けタイプ = パネル取り付けシールド/非シールド = シールドなし定格電圧 = 60 V動作温度 Max = +85℃

onsemi ツェナーダイオード 3.9V 表面実装 3 Wonsemi

￥289税込￥318

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標準ツェナー電圧 = 3.9V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 3 Wパッケージタイプ = SMBツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 96.1mA最大ツェナーインピーダンス = 7.5Ω最大逆漏れ電流 = 25μA寸法 = 4.32 x 3.56 x 2.13mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード3 W、1SMB59xxBシリーズ、ON Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応