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onsemi 昇降圧コンバータ バックブーストスイッチング 1.25 → 40 V， 8-Pin， MC34063ADG onsemionsemi 昇降圧コンバータ バックブーストスイッチング 1.25 → 40 V， 8-Pin， MC34063ADGonsemi
￥5,598税込￥6,158
1セット(98個)
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仕様●出力電流 Max ： 1.5A●出力電圧 ： 1.25 → 40 V●ラインレギュレーション ： 5 mV●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 8●出力タイプ ： 可変●最大スイッチング周波数 ： 100 kHz●スイッチングレギュレータ ： あり●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●入力電圧 Min ： 3 Vmm●自動車規格 ： AEC-Q100mm●MC34063A バックブースト反転スイッチングレギュレータ. ON Semiconductor MC34063A シリーズのバックブースト反転スイッチングレギュレータは●ステップダウン●ステップアップ●電圧反転の用途向けに設計されています。 これらのモノリシック IC は● DC-DC コンバータに必要な幅広い機能を備えています。この機能には次のものがあり - 内部温度補償リファレンス - コンパレータ - アクティブ電流制限回路付きの制御デューティサイクル発振器 - ドライバ - 高電流出力スイッチ MC34063A IC は●ファンコントローラや DC-DC 電源に適しています。0.3 → +40 V dc の広い入力電圧により● MC34063A は幅広い用途に適しています。. 温度範囲： 0 ～ +70 ° C 低待機電流 入力電圧： 3-40 V 電流制限を調整可能 出力電圧を調整可能 周波数動作： 100kHz まで 精度 : 精度 2% リファレンス. 種類: ； ( 516-5095 ) MC34063AP1G-PDIP-8 ( ； 125-0038 125-0038 ) MC34063AP1G-PDIP-8 チューブ 50 ( ； 103-5076 103-5076 ) MC34063ADR2G - SOIC-8 リール 2500 ； ( 689-9948 ) MC34063ADR2G-SOIC-8 ( ； 184-4265 ) 184-4265 ) MC34063ADG-SOIC-8 チューブ 98RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
￥399税込￥439
1箱(5個)
予約販売
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：9 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55最大ゲート-ソース間電圧(V)-12 ， +12トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET12 V 10 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET12 V 10 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピンonsemi
￥899税込￥989
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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷幅(mm)2シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)10最大ドレイン-ソース間電圧(V)12最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8トランジスタ構成シングル最大パワー消費2.4 W
onsemi Nチャンネル MOSFET80 V 4.7 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET80 V 4.7 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥1,998税込￥2,198
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：4.7 A高さ(mm)1.575ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.6、2チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)82最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 11 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 11 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥1,798税込￥1,978
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5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプP最大パワー消費(W)2.5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)11最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET600 V 7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET600 V 7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
￥1,998税込￥2,198
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.2916666667長さ(mm)6.73高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)83チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 3.4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 3.4 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンonsemi
￥999税込￥1,099
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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.4最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル最大パワー消費3000 mW
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
￥549税込￥604
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5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：12 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル
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onsemi N， Pチャンネル MOSFET20 V 3.1 A、3.7 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピン onsemionsemi N， Pチャンネル MOSFET20 V 3.1 A、3.7 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピンonsemi
￥98,980税込￥108,878
1リール(3000個)
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仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している幅(mm)2シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P最大パワー消費(W)1.4チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.1 、3.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)6895最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成絶縁型
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 5.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 5.8 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi
￥559税込￥615
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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)43最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.6 W
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
￥1,498税込￥1,648
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)2.39ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)11最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)30最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、+25トランジスタ構成シングル最大パワー消費52 W
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥1,998税込￥2,198
1箱(5個)
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：20 A幅(mm)4シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
￥629税込￥692
1箱(10個)
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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最小ゲートしきい値電圧(V)0.8最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、 +25トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 1.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
￥579税込￥637
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.6最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)115最大ゲートしきい値電圧(V)1.5最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成シングル最大パワー消費500 mW
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
￥99,980税込￥109,978
1リール(3000個)
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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 13 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥1,098税込￥1,208
1箱(5個)
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：13 AシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥729税込￥802
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：26 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル
onsemi N， Pチャンネル MOSFET20 V 1.9 A、2.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン onsemionsemi N， Pチャンネル MOSFET20 V 1.9 A、2.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi
￥1,298税込￥1,428
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているピン数(ピン)6動作温度(℃)-55 (Min)RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.9 、2.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)130270最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成絶縁型標準ゲートチャージ2.85 nC @ 4.5 V、3.25 nC @ 4.5 V最大パワー消費960 mW
onsemi Nチャンネル MOSFET600 V 4.5 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET600 V 4.5 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピンonsemi
￥1,398税込￥1,538
1袋(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：4.5 A高さ(mm)6.3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージIPAK (TO-251)実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)52チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)900最大ゲート-ソース間電圧(V)30トランジスタ構成シングル
onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.5 A、6.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.5 A、6.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥839税込￥923
1箱(10個)
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仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している幅(mm)3.9高さ(mm)1.575ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)4.5、6.4最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)3980最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、-20、+20、+25トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費1.6 W、2 W
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥2,698税込￥2,968
1箱(25個)
5日以内出荷
仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電長さ(mm)5高さ(mm)1.5ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)1.6チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)0.25最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)44最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型
onsemi Nチャンネル MOSFET800 V 11 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET800 V 11 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピンonsemi
￥3,198税込￥3,518
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：0.4583333333シリーズSuperFET IIピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)35.7材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)800最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)340最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 7.3 A、8.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi N， Pチャンネル MOSFET30 V 7.3 A、8.6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥999税込￥1,099
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：7.3 A、8.6 A長さ(mm)5シリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているパッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P最大パワー消費(mW)1600チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)17 ， 21最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 、-20 、+20 、+25トランジスタ構成絶縁型
onsemi Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET600 V 20 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピンonsemi
￥1,198税込￥1,318
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2.5V●最大連続ドレイン電流：20 AシリーズSuperFET IIピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮しますパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)39材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)170最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Pチャンネル MOSFET40 V 8.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET40 V 8.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥689税込￥758
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：8.2 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：19 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)27最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 6.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥579税込￥637
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.6V●最大連続ドレイン電流：6.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：6.2 nC @ 4.5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10トランジスタ構成絶縁型
onsemi Pチャンネル MOSFET60 V 3 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET60 V 3 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi
￥579税込￥637
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.125高さ(mm)1ピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)1600材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)105最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 2.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi
￥799税込￥879
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仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)128最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成絶縁型標準ゲートチャージ3.5 nC @ 4.5 V最大パワー消費960 mW
onsemi Pチャンネル MOSFET12 V 6.7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET12 V 6.7 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi
￥1,398税込￥1,538
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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷シリーズPowerTrenchピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)6.7最大ドレイン-ソース間電圧(V)12最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)90最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成シングル最大パワー消費52 W
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 4 A 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi
￥579税込￥637
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.1666666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：6 nC @ 5 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)1.6チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)75最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25トランジスタ構成シングル
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onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピンonsemi
￥2,498税込￥2,748
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仕様PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電シリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)300360チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.2最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)259最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8トランジスタ構成絶縁型
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Nチャンネル MOSFET100 V 3.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥959税込￥1,055
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：3.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：5.1 nC @ 10 VシリーズPowerTrenchピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench (R) MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)31チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)107最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成絶縁型
onsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET20 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
￥649税込￥714
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.4 A幅(mm)1.4高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)52最大ゲート-ソース間電圧(V)-8 ， +8トランジスタ構成シングル
onsemi N， Pチャンネル MOSFET60 V 3.5 A、4.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi N， Pチャンネル MOSFET60 V 3.5 A、4.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥139,800税込￥153,780
1リール(2500個)
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仕様PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している幅(mm)4高さ(mm)1.5ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， P最大パワー消費(W)2チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.5 、4.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55105最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成絶縁型
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi
￥459税込￥505
1箱(5個)
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仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.0833高さ(mm)0.94ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷パッケージSOT-23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)500チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)80最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最大動作温度(℃)150
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン onsemionsemi Pチャンネル MOSFET30 V 8.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi
￥1,498税込￥1,648
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仕様PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷高さ(mm)1.57ピン数(ピン)8動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)2.5チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)8.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)35最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20トランジスタ構成シングル

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