商品豆知識
エコ商品
仕様●レギュレータ機能 ： ステップダウン●出力電流 Max ： 1A●出力数 ： 1●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： D2PAK●ピン数 ： 5●出力タイプ ： 固定●最大スイッチング周波数 ： 52 kHz●スイッチングレギュレータ ： あり●効率 ： 77 (Typ.)%●寸法 ： 10.23 x 10.61 x 4.57mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●幅 ： 10.61mm●LM2575 シリーズのバックスイッチングレギュレータは●ステップダウンスイッチングレギュレータ(バックコンバータ)の簡単で便利な設計に最適なモノリシック集積回路です。このシリーズの回路はすべて●優れたライン / 負荷調整により 1.0 A の負荷を駆動することができます。これらのデバイスは●固定出力電圧 3.3 V ● 5.0 V ● 12 V ● 15 V ●出力調整可能なタイプが用意されています。このバックスイッチングレギュレータは●電源設計を簡素化するために外部コンポーネントの数を最小限に抑えるように設計されています。LM2575 との併用に最適化された標準シリーズのインダクタは●複数の異なるインダクタメーカーによって提供されています。LM2575 コンバータはスイッチモード電源であるため●一般的な 3 端子リニアレギュレータと比較すると●特に高入力電圧での効率が大幅に高くなります。多くの場合● LM2575 レギュレータの消費電力が非常に低いため●ヒートシンクが不要で●サイズを大幅に縮小することができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,498
税込￥2,748
欠品中
仕様●出力電流 Max ： 1A●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 6 mV●精度 ： ±1%●極性 ： 正●パッケージタイプ ： SOT-223mA●ピン数 ： 3+Tab●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.7 x 3.7 x 1.69mm●動作温度 Max ： +125 ℃mm●長さ ： 6.7mm●NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは● 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが●固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には●調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で● 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して● NCP1117 デバイスは●ドロップアウト電圧を大幅に低減し●出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥1,798
税込￥1,978
翌々日出荷
仕様メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに
ピン数(ピン)3
ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)コモンカソード
整流方式ショットキーダイオード
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
最大順方向降下電圧(mV)800
ピーク逆繰返し電圧(V)30
ピーク非繰返し順方向サージ電流(mA)600
ピーク逆回復時間(ns)5
最大連続順方向電流(mA)200
1箱(100個)
￥789
税込￥868
5日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最小ブレークダウン電圧 ： 6V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SC-74●最大逆スタンドオフ電圧 ： 15.5V●ピン数 ： 6●ピークパルスパワー消費 ： 350W●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 4●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法 ： 3.1 x 1.7 x 1mm●長さ ： 3.1mm●350 W過渡電圧サプレッサダイオードアレイ●ESD保護用
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥64,980
税込￥71,478
5日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 9V●最小ブレークダウン電圧 ： 4.8V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-923●最大逆スタンドオフ電圧 ： 3.3V●ピン数 ： 2●ピークパルスパワー消費 ： 0.15W●最大ピークパルス電流 ： 1A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 ： 1μA●ESDプロテクタ●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(8000個)
￥99,980
税込￥109,978
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-923●最大連続 順方向電流 ： 200mA●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： 500mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 1A●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(8000個)
￥56,980
税込￥62,678
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-923●最大連続 順方向電流 ： 200mA●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： -460mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 2A●ショットキー整流器は、非常に低い順方向電圧降下と低漏洩電流向けに最適化されており、携帯機器の幅広い DC-DC コンバータ、クランプ、保護用途に使用されています。SOD-923 ミニチュアパッケージの NSR0240P2 を使用すると、設計者は高効率を実現して省スペース要件を満たすという困難な課題に対応できます。超低順方向電圧降下： 460 mV @ 100 mA 低逆電流： 0.2 A @ 25 V VR 連続順電流： 200 mA 消費電力： 240 mW (最小トレース時 非常に高速なスイッチング速度 低静電容量 - CT ： 7 pF 品番の先頭が「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリーデバイスです 最終製品 モバイルハンドセット MP3プレーヤ 用途 LCDやキーパッドのバックライト カメラのフラッシュ バック / ブースト DC-DC コンバータ 逆電圧及び逆電流の保護 クランプ及び保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(8000個)
￥59,980
税込￥65,978
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-923●最大連続 順方向電流 ： 70mA●ピーク逆繰返し電圧 ： 40V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： 350mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 500mA●メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-923●最大連続 順方向電流 ： 500mA●ピーク逆繰返し電圧 ： 20V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： -350mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●ピーク逆回復時間 ： 4ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 1A
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(8000個)
￥54,980
税込￥60,478
5日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 9.8V●最小ブレークダウン電圧 ： 6.2V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-23●ピン数 ： 3●ピークパルスパワー消費 ： 300W●最大ピークパルス電流 ： 17A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法 ： 3.04 x 1.4 x 1.01mm●高さ ： 1.01mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DSN - 0603●最大連続 順方向電流 ： 2A●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： -480mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 28A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥3,798
税込￥4,178
5日以内出荷
仕様●論理回路 ： ACT●ロジックタイプ ： バッファ， ラインドライバ●インターフェース ： バッファ&ラインドライバIC●入力タイプ ： シングルエンド●出力タイプ ： 3ステート●極性 ： 非反転●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 20●高レベル出力電流 Max ： -24mA●低レベル出力電流 Max ： 24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 12 ns@ 50 pF●寸法 ： 12.95 x 7.4 x 2.4mm●動作供給電圧 Max ： 5.5 V●伝播遅延テスト条件 ： 50pF●MC74ACTシリーズ，オン・セミコンダクター
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥3,198
税込￥3,518
5日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DSN (0502)●最大連続 順方向電流 ： 1A●ダイオード構成 ： シングル●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 2●最大順方向降下電圧 ： -490mV●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●ダイオードテクノロジー ： ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 ： 18A
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,298
税込￥1,428
5日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シングル●最大クランピング電圧 ： 14.5V●最小ブレークダウン電圧 ： 6.2V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-323●最大逆スタンドオフ電圧 ： 5V●ピン数 ： 2●ピークパルスパワー消費 ： 350W●最大ピークパルス電流 ： 24A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法 ： 1.8 x 1.35 x 1mm●高さ ： 1mm●350 W過渡電圧サプレッサダイオード●ESD保護用
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥31,980
税込￥35,178
5日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 2.2A●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 6 mV●精度 ： ±1%●実装タイプ ： 表面実装●静止電流 ： 10mA●ピン数 ： 3V●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 6.73 x 6.22 x 2.38mm●動作温度 Min ： 0 ℃mm●幅 ： 6.22mm●NCP1117 及び NCV1117 シリーズ LDO レギュレータ ON Semiconductor. NCP1117 及び NCV1117 シリーズの LDO ポジティブ固定 / 可変電圧レギュレータは● 1 A を超える出力電流を備えています。SOT-223 パッケージと DPAK パッケージを選択可能ですが●固定と調整可能のさまざまな出力電圧オプションもあります。この固定電圧には●調整を維持するための最小負荷要件はありません。出力電圧オプションも調整可能で● 1.25 → 18.8 V の範囲でプログラムできます 他の 3 端子調整可能レギュレータと比較して● NCP1117 デバイスは●ドロップアウト電圧を大幅に低減し●出力電圧精度と温度安定性を向上させます。 出力電流は 1A を超えます 固定または可変電圧オプション 1.2V ドロップアウト電圧(最大) @800mA (過熱時 電流制限およびサーマルシャットダウン保護 NCV 部品番号は自動車用途向けです. 用途 消費者および産業機器に関する規制のポイント 2.85 V バージョンのアクティブな SCSI 終端 スイッチング電源ポストレギュレーション ハードドライブコントローラ バッテリ充電器
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥89,980
税込￥98,978
5日以内出荷
仕様●パッケージタイプ ： TSSOP●ロジックタイプ ： シフトレジスター●ステージ数 ： 8●論理回路 ： HCT●実装タイプ ： 表面実装●動作/操作モード ： シリアル to パラレル●ピン数 ： 16●動作供給電圧 Min ： 4.5 V●動作供給電圧 Max ： 5.5 V●寸法 ： 5.1 x 4.5 x 1.05mm●動作温度 Min ： -55 ℃●この MC74HCT595A は● 8 ビットシフトレジスタと 3 ステートパラレル出力の 8 ビット D タイプラッチで構成されています。シフトレジスタはシリアルデータを受け付け●シリアル出力を提供します。また●シフトレジスタは● 8 ビットラッチに並列データを提供します。シフトレジスタとラッチには●独立したクロック入力があります。このデバイスには●シフトレジスタの非同期リセットもあります。74HCT595A は● CMOS MPU と MCU の SPI シリアルデータポートと直接インターフェイスします。デバイス入力は●標準 CMOS 又は LSTTL 出力に対応しています。出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲 :4.5 ～ 5.5 V 低入力電流： 1.0 uA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 328 FET または 82 等価 Gates
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 10.1V●最小ブレークダウン電圧 ： 5.32V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-523 (SC-89)●最大逆スタンドオフ電圧 ： 3V●ピン数 ： 3●ピークパルスパワー消費 ： 50W●最大ピークパルス電流 ： 4.8A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 1.7mm●低静電容量ESD保護アレイ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
仕様Fairchild QED222 / QED223シリーズ赤外線LED. Fairchild SemiconductorのQED222 / QED223シリーズは、プラスチックパッケージの赤外線(IR)発光ダイオード(LED)です。 これらのLEDは、標準のT-1 3/4 (5 mm)パッケージに収められています。. QED222 / QED223シリーズの特長: 880 nm AlGaAs LED 透明で紫色 直径5 mm (T-1 3/4)のプラスチックパッケージ 中幅放射角、30° 高出力パワー
寸法(mm)4.95 (Dia.)×8.77 (H)
ピーク波長(nm)880
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール実装
1箱(25個)
￥2,398
税込￥2,638
5日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧mA●出力電圧 ： 5 V●ラインレギュレーション ： 3 mV/V●精度 ： 2%●極性 ： 正●パッケージタイプ ： TSOP●ピン数 ： 5●出力タイプ ： 固定mW●寸法 ： 3 x 1.5 x 1mm●入力電圧 Min ： 2.1 Vmm●長さ ： 3mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●150 mA●5 V●8 V●10 V●及び調整式●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥3,298
税込￥3,628
5日以内出荷
仕様●レギュレータ機能 ： ステップダウン●出力電流 Max ： 1A●出力電圧 ： 37 V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： D2PAK●ピン数 ： 5●出力タイプ ： 可変●最大スイッチング周波数 ： 63 kHz●スイッチングレギュレータ ： あり●効率 ： 77%●寸法 ： 10.23 x 9.34 x 4.57mm●高さ ： 4.57mm●幅 ： 9.34mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥10,980
税込￥12,078
5日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ ： 低ドロップアウト電圧mA●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 10 mV●精度 ： 2.5%●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： TSOPμA●ピン数 ： 5●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 3.1 x 1.7 x 1mm●入力電圧 Min ： 1.8 Vmm●長さ ： 3.1mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●150 mA●3.0 → 3.5 V●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥889
税込￥978
5日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 150mA●出力電圧 ： 3.3 V●ラインレギュレーション ： 30 mV●精度 ： 2%●実装タイプ ： 表面実装●静止電流 ： 8μA●ピン数 ： 5●出力タイプ ： 固定●寸法 ： 3 x 1.5 x 1mm●高さ ： 1mm●幅 ： 1.5mm●低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ●150 mA●3.0 → 3.5 V●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥88,980
税込￥97,878
5日以内出荷
仕様指向半値角：16°
寸法(mm)6.1 Dia.×8.77
ピーク波長(nm)890
ピン数(ピン)2
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
LED使用数(個)1
実装タイプスルーホール実装
最大供給電圧(V)1.7
放射強度(mW/sr)70
材質(LED)AlGaAs
1箱(25個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様●レギュレータ機能 ： ステップダウン●レギュレータタイプ ： バックブーストスイッチングA●出力電圧 ： 15 (標準) V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： D2PAK●ピン数 ： 5●出力タイプ ： 固定●最大スイッチング周波数 ： 52 kHz●スイッチングレギュレータ ： あり●効率 ： 88 (Typ.)%●寸法 ： 10.23 x 10.61 x 4.57mm●入力電圧 Max ： 40 Vmm●長さ ： 10.23mm●LM2576 バックスイッチングレギュレータは●ステップダウンスイッチングレギュレータ(バックコンバータ)の簡単で便利な設計に最適なモノリシック集積回路です。このシリーズのすべての回路は●優れたライン / 負荷調整で 3.0 A の負荷を駆動できます。これらのデバイスは●固定出力電圧 3.3 V ● 5.0 V ● 12 V ● 15 V ●出力調整可能なタイプが用意されています。バックスイッチングレギュレータは●外部コンポーネントの数を最小限に抑えて電源設計を簡素化するように設計されています。LM2576 との併用に最適化された標準シリーズのインダクタは●複数のインダクタメーカーによって提供されています。LM2576 コンバータはスイッチモード電源であるため●特に高い入力電圧の一般的な 3 端子リニアレギュレータと比較して効率が大幅に向上しています。多くの場合●消費電力が非常に低いため●ヒートシンクが不要であるか●サイズが大幅に縮小されます。LM2576 と組み合わせて使用するように最適化された標準シリーズのインダクタは●さまざまなメーカー製が用意されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥14,980
税込￥16,478
5日以内出荷
仕様拡張モード P チャンネル MOSFET 、 ON Semiconductor. ON Semiconductor の P チャンネル MOSFET 製品は、 ON Semiconductor 独自の高セル密度 DMOS テクノロジーを使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えて、高速スイッチング向けに頑丈で信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。. 特長と利点:. 電圧制御の P チャネル小信号スイッチ 高密度セル設計 高い飽和電流 優れたスイッチング
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)130
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)10
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費360 mW
1箱(10個)
￥489
税込￥538
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)0.93
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)350
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)220
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.5
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、 +12
トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)340
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)210
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)6
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
￥1,498
税込￥1,648
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
幅(mm)4.82
シリーズUltraFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-247
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)285
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)55
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)220
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3.5
最大ゲートしきい値電圧(V)1.5
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費360 mW
1箱(10個)
￥199
税込￥219
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)14
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、 +10
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費48 W
1箱(10個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：18 A
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージTO-220F
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)38.5
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)265
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
1個
￥419
税込￥461
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
シリーズUltraFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)325
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)55
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)200000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)55
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
最大動作温度(℃)175
最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：75 A
幅(mm)4.7
高さ(mm)16.3
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)325
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)55
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：14 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：25 nC @ 5 V、40 nC @ 10 V
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)48000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10
トランジスタ構成シングル
1個
￥219
税込￥241
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：16 A
シリーズMegaFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)60
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)47
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 ， +10
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥969
税込￥1,066
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)14
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費48 W
仕様QSD2030F PINフォトダイオード. Fairchild SemiconductorのQSD2030Fは、プラスチックシリコンPINフォトダイオードです。 標準の5 mm(T-1 3/4)スルーホールパッケージに収められています。 QSD2030Fは、周囲の可視光を遮断する昼光フィルタを備えた黒色のエポキシ製パッケージに収納されています。. QSD2030Fフォトダイオードの特長: PINフォトダイオード 5 mm(T-1 3/4)パッケージ 広いレセプション角度: 40° 昼光フィルタ 高感度 波
長さ(mm)4.95
直径(Φmm)6.1
高さ(mm)8.77
波長(nm)ピーク感度：880
ピン数(ピン)2
ダイオード(材質)Si
検出波長最大1100nm、最小700nm
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール実装
標準上昇時間5ns
標準降下時間5ns
仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-223●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 150 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 3.13 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.65mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥279,800
税込￥307,780
5日以内出荷
『受動部品』には他にこんなカテゴリがあります
- 抵抗
- 受動部品その他関連用品
- コンデンサ
- インダクタ(コイル)
- 光エレクトロニクス製品
電子部品(オンボード) の新着商品
TE Connectivity 自動車リレー， SPNO， 12V dc， 4.7 Ω
TE Connectivity Japan(旧:TYCOELECTRONICS(タイコエレクトロニクス))
税込￥10,998～
￥9,998～
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