制御機器 ：「6v 3w」の検索結果

論理回路 = HCロジックタイプ = バッファ， ラインドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -7.8mA低レベル出力電流 Max = 7.8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165 ns @ 2 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm動作供給電圧 Min = 2 V伝播遅延テスト条件 = 150pF74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 8.7V最小ブレークダウン電圧 = 5.89V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 24W最大ピークパルス電流 = 2.7AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmTVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

論理回路 = ACロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ回路数 = 8入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC Wピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 3.3 V寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm動作供給電圧 Max = 6 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74ACファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 1.5 → 5.5及び2 → 6 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

論理回路 = 74HCラッチモード = 透明ラッチエレメント = Dタイプビット数 = 8bit出力タイプ = 3ステート実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 20寸法 = 13.005 x 7.595 x 2.642mm高さ = 2.642mm長さ = 13.01mm幅 = 7.595mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vシリーズ = QFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.45 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 225 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 142 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 11V最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 300W最大ピークパルス電流 = 17AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mm高速ライン保護のための300 W低静電容量TVS. 補償ダイオードにTVSダイオードを直列接続することで、静電容量を5 pF未満に抑制 ピーク定格出力: 300 W、8 x 20 μs

トランジスタタイプ = PNP最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 65 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dcピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 10.53 x 4.83 x 9.28mm6 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。BD243B 、 BD243C ( NPN )、 BD244B 、 BD244C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) = 1.5 V dc (最大) @ IC = ADC コレクタエミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) BD243B 、 BD244B VCEO ( us ) = 100 V dc (最小) - BD243C 、 BD244C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージを用意

ダイオード構成 シングルV実装タイプ スルーホール最大パワー消費 3 Wパッケージタイプ DO-41ツェナータイプ 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 5%ピン数 2テスト電流 66.9mA最大ツェナーインピーダンス 250 Ω@ mA最大逆漏れ電流 5 μA@ V寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm動作温度 Max +200 ℃ツェナーダイオード3 W、1N59xxBシリーズSurmetic、ON Semiconductor

ダイオード構成 = コモンアノード最大クランピング電圧 = 46V最小ブレークダウン電圧 = 31.35V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 40W最大ピークパルス電流 = 0.87AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmTVSデュアルコモンアノードツェナー、ON Semiconductor. コモンアノード構成のデュアル表面実装TVS 自動挿入に最適 低漏洩

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 8V最小ブレークダウン電圧 = 5.32V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-74最大逆スタンドオフ電圧 = 3Vピン数 = 6ピークパルスパワー消費 = 150W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1mm24 Wクワッドコモンアノード過渡電圧サプレッサ(ESD保護用)