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IsoMOV シリーズの Bourns バリスタは、低静電容量、非常に低い漏洩電流、高いエネルギー処理密度で、長寿命の Protector として高い性能を発揮します。プレミアム性能や省スペースが求められる AC / DC 電源用途に最適です。ハイブリッド( MOV 及び GDT )設計です。RoHS に準拠しています(2022年10月現在) 低静電容量です それはリング波許容性である

IsoMOV シリーズの Bourns バリスタは、低静電容量、非常に低い漏洩電流、高いエネルギー処理密度で、長寿命の Protector として高い性能を発揮します。プレミアム性能や省スペースが求められる AC / DC 電源用途に最適です。ハイブリッド( MOV 及び GDT )設計です。RoHS に準拠しています(2022年10月現在) 低静電容量です それはリング波許容性である

IsoMOV シリーズの Bourns バリスタは、低静電容量、非常に低い漏洩電流、高いエネルギー処理密度で、長寿命の Protector として高い性能を発揮します。プレミアム性能や省スペースが求められる AC / DC 電源用途に最適です。ハイブリッド( MOV 及び GDT )設計です。RoHS に準拠しています(2022年10月現在) 低静電容量です それはリング波許容性である

IsoMOVシリーズのBournsバリスタは、低静電容量、非常に低い漏洩電流、高いエネルギー処理密度で、長寿命のProtectorとして高い性能を発揮します。プレミアム性能や省スペースが求められるAC/DC電源用途に最適です。ハイブリッド(MOV及びGDT)設計です。RoHSに準拠しています(2022年10月現在)低静電容量ですそれはリング波許容性である

IEC61000-4-2レベル4。SMTトランジェントサプレッサ - EZJZシリーズ。パナソニックEZJZ積層バリスタは、高性能半導体セラミック製で、ESD抑制に優れています。 この積層バリスタは、バイポーラ型(無極性)で、1つのコンデンサと2つのツェナーダイオードを交換することができます。超低静電容量 IEC61000-4-2レベル4規格に適合する高い静電気耐性 鉛フリー

IEC61000-4-2レベル4。SMTトランジェントサプレッサ - EZJZシリーズ。パナソニックEZJZ積層バリスタは、高性能半導体セラミック製で、ESD抑制に優れています。 この積層バリスタは、バイポーラ型(無極性)で、1つのコンデンサと2つのツェナーダイオードを交換することができます。超低静電容量 IEC61000-4-2レベル4規格に適合する高い静電気耐性 鉛フリー

バリスタ、Z7Dシリーズ

IEC61000-4-2レベル4。SMTトランジェントサプレッサ-EZJZシリーズ。パナソニックEZJZ積層バリスタは、高性能半導体セラミック製で、ESD抑制に優れています。この積層バリスタは、バイポーラ型(無極性)で、1つのコンデンサと2つのツェナーダイオードを交換することができます。超低静電容量IEC61000-4-2レベル4規格に適合する高い静電気耐性鉛フリー端子電極は、はんだ付け性に優れていますが、フローはんだ付けは避けてください。2つのアレイで複数のラインに対応積層構造。用途。このバリスタは、高速信号ライン及びESD抑制に適しています。最適な用途には、HDMI高速データバス、USB2.0/IEEE1394インターフェイスなどがあります。

IEC61000-4-2レベル4。SMTトランジェントサプレッサ - EZJZシリーズ。パナソニックEZJZ積層バリスタは、高性能半導体セラミック製で、ESD抑制に優れています。 この積層バリスタは、バイポーラ型(無極性)で、1つのコンデンサと2つのツェナーダイオードを交換することができます。超低静電容量 IEC61000-4-2レベル4規格に適合する高い静電気耐性 鉛フリー

Bourns Electronics 低電圧バリスタは、低電圧領域の高電圧サージから高感度電子デバイスを保護するように設計されています。エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収性に優れています。3 → 170 V dc の動作範囲で動作します。短い応答時間 最高動作温度： +125 ℃ しきい値電圧温度係数は +0.05 %/ ℃ 未満

Bourns ZVHT シリーズ低電圧多層バリスタ( 390 pF )は、壊れやすい電子機器を低電圧域の高電圧サージから保護するように設計幅広い電流及びエネルギー処理能力 短い応答時間 低感度 RoHS対応(2022年10月現在)

Bourns Electronics 低電圧バリスタは、低電圧領域の高電圧サージから高感度電子デバイスを保護するように設計されています。エネルギー量の分配と消費電力の改善により、過渡エネルギー吸収性に優れています。3 → 170 V dc の動作範囲で動作します。短い応答時間 最高動作温度： +125 ℃ しきい値電圧温度係数は +0.05 %/ ℃ 未満

Bourns ZVHT シリーズ低電圧多層バリスタ( 330 pF 静電容量)は、高電圧領域での高電圧サージから高感度電子デバイスを保護するように設計されています。幅広い電流及びエネルギー処理能力 短い応答時間 低感度 RoHS対応(2022年10月現在)

パナソニック 金属酸化物バリスタ ZNR シリーズ 直径 20 mm。小型形状で大きなサージ電流耐量 標準バリスタに比べ、2回分のサージ電流耐量が向上

AVX高温150℃積層バリスタは、エンジンルーム内やその他の高温の車載用途又は産業用途向けに設計されています。単一のSMTパッケージで双方向の過電圧保護とEMI/RFI減衰を実現します。これにより、回路保護とEMI/RFI減衰機能を1つの非常に信頼性の高い装置に統合するAbilityが実現します。ガラス封入は、酸性環境、塩、塩素酸塩フラックスなどの過酷な環境やプロセスに対する耐性を強化します。1206→3220ケースサイズ、16→31Vdcの動作電圧、定格エネルギー0.6→13J、ロードダンプエネルギー1.5→50J、Peak電流200→1800A、静電容量700→15000pFを用意しています。動作温度範囲は55→+150℃です。ニッケルバリア/100%Sn終端により、鉛フリーの優れたはんだ付け性を実現しています。150℃の高温耐性オフ状態のEMI/RFIフィルタリング代表的用途[フード]の下ドリルダウン温度最大150℃の用途

AVX高温150℃積層バリスタは、エンジンルーム内やその他の高温の車載用途又は産業用途向けに設計されています。単一のSMTパッケージで双方向の過電圧保護とEMI/RFI減衰を実現します。これにより、回路保護とEMI/RFI減衰機能を1つの非常に信頼性の高い装置に統合するAbilityが実現します。ガラス封入は、酸性環境、塩、塩素酸塩フラックスなどの過酷な環境やプロセスに対する耐性を強化します。1206→3220ケースサイズ、16→31Vdcの動作電圧、定格エネルギー0.6→13J、ロードダンプエネルギー1.5→50J、Peak電流200→1800A、静電容量700→15000pFを用意しています。動作温度範囲は55→+150℃です。ニッケルバリア/100%Sn終端により、鉛フリーの優れたはんだ付け性を実現しています。150℃の高温耐性オフ状態のEMI/RFIフィルタリング代表的用途[フード]の下ドリルダウン温度最大150℃の用途

IsoMOV シリーズの Bourns バリスタは、低静電容量、非常に低い漏洩電流、高いエネルギー処理密度で、長寿命の Protector として高い性能を発揮します。プレミアム性能や省スペースが求められる AC / DC 電源用途に最適です。ハイブリッド( MOV 及び GDT )設計です。RoHS に準拠しています(2022年10月現在) 低静電容量です それはリング波許容性である

IsoMOV シリーズの Bourns バリスタは、低静電容量、非常に低い漏洩電流、高いエネルギー処理密度で、長寿命の Protector として高い性能を発揮します。プレミアム性能や省スペースが求められる AC / DC 電源用途に最適です。ハイブリッド( MOV 及び GDT )設計です。RoHS に準拠しています(2022年10月現在) 低静電容量です それはリング波許容性である

IsoMOV シリーズの Bourns バリスタは、低静電容量、非常に低い漏洩電流、高いエネルギー処理密度で、長寿命の Protector として高い性能を発揮します。プレミアム性能や省スペースが求められる AC / DC 電源用途に最適です。ハイブリッド( MOV 及び GDT )設計です。RoHS に準拠しています(2022年10月現在) 低静電容量です それはリング波許容性である

IsoMOV シリーズの Bourns バリスタは、低静電容量、非常に低い漏洩電流、高いエネルギー処理密度で、長寿命の Protector として高い性能を発揮します。プレミアム性能や省スペースが求められる AC / DC 電源用途に最適です。ハイブリッド( MOV 及び GDT )設計です。RoHS に準拠しています(2022年10月現在) 低静電容量です それはリング波許容性である