「スイッチングトランジスター」の検索結果

トランジスタの機能の一部であるスイッチング動作に的を絞った原理学習キットです。

DINレール取りつけに対応。 鉛フリーはんだ対応。(エコラベル認定商品)

LEDの明るさや点滅間隔を簡単に調節できる、LED点灯基板キットです。 赤色LED(Φ5mm)が1個付属しています。 組み込みしやすい小型基板です。 同じ型番のLEDを最大3個まで取り付けられます。 調光・点滅A・点滅B・ランダム点滅の4つのモードから好みの1つを選んで組み立てます。 調光：ボリュームで明るさを調節 点滅A：ピカッピカッっと点滅し、ボリュームで点滅間隔を調節 点滅B：ジワージワーと点滅し、ボリュームで点滅間隔を調節 ランダム点滅：キャンドルの炎のゆらぎのように明暗が不規則に変化

簡単!楽しいハンダ付け電子工作キット。 LED点滅回路で動作します。 電池入り。(CR2032コイン電池)

変調回路からスイッチングトランジスタまで回路のほとんどが20ピンDIPパッケージに収納され20個程度のR、C、Lを外付けするだけで15W×2のステレオパワーアンプができます。

LEDをピカピカ点滅! 6種類の点滅パターンが選択可能 点滅OFFも可能 LED専用のユニット

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 366 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)

PINフォトダイオード-T-13/4(5mm)パッケージ。SRAMOptoSemiconductorsのPINフォトダイオードファミリは、標準のT-13/4(5mm)スルーホールパッケージに収められています。1x1mm2の放射検出面積があります。T-13/4パッケージのフォトダイオードは、短いスイッチング時間を実現します。高速フォトインタラプタ、産業電子機器、制御及び駆動回路などに最適です。

本制御器は、セルパックシリーズのクラッチとブレーキ及びブレーキのみを制御するための専用無接点制御器です。基本回路は、電源部・パワースイッチング部・操作制御部の3つより構成されております。 クラッチ・ブレーキのスイッチングは、パワートランジスタを使用した無接点回路方式で、動作を確実に行わせるためクラッチは釈放時ブレーキは吸引時に、逆励磁を印加させております。また、ブレーキ用に解放電圧調整ができるようになっております。交流入力電源、クラッチ・ブレーキ及び外部信号(押し釦スイッチ、リレー接点、トランジスタ、近接リレー等)の結線を行えば動作します。

PINフォトダイオード - T-1 3/4 (5 mm)パッケージ。SRAM Opto SemiconductorsのPINフォトダイオードファミリは、標準のT-1 3/4 (5 mm)スルーホールパッケージに収められています。 1 x 1 mm2の放射検出面積があります。 T-1 3/4パッケージのフォトダイオードは、短いスイッチング時間を実現します。 高速フォトインタラプタ、産業電子機器、制御及び駆動回

PINフォトダイオード - T-1 3/4 (5 mm)パッケージ。SRAM Opto SemiconductorsのPINフォトダイオードファミリは、標準のT-1 3/4 (5 mm)スルーホールパッケージに収められています。 1 x 1 mm2の放射検出面積があります。 T-1 3/4パッケージのフォトダイオードは、短いスイッチング時間を実現します。 高速フォトインタラプタ、産業電子機器、制御及び駆動回

CP1L デジタル入出力モジュール - トランジスタ出力。最大スイッチング容量： 0.3 A / ポイント @ 4.5 → 30 V dc ( CP1W - 40EDT1 )、0.3 A / ポイント @ 24 V ac + 10 % / -5 % ( CP1W - 20EDT1 ) 漏洩電流：最大 0.1 mA 残留電圧：最大 1.5 V

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.3V。チャンネル数 = 2。ピン数 = 8。パッケージタイプ = SOIC。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 3.2μs。最大入力電流 = 200 mA。絶縁電圧 = 2500 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 100%。標準降下時間 = 4.7μs。シリーズ = MOCD。特殊機能 = 厳密に適合する電流伝送率、フィードバック制御回路、汎用スイッチング回路。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

信号スイッチング用で、トランジスタ入力 / 低電力、抑制コイルミニチュアリレーでの使用に最適です。誘導負荷又は突入負荷(例えば、フィラメントランプ)には適していません。. Cynergy3水平フロートスイッチ. Cynergy3は、WRAS認証を受けた、低価格・小型設計の幅広い水平スイッチを取り揃えています。この水平フロートスイッチは、リードスイッチとピボットアクチュエータマグネットで構成され、N/O又はN/C操作で使用できます。この機器を取り付ける際に、フロートスイッチを本体の下方ではなく上方にセットすると、スイッチ動作を逆にすることができます。. WRAS認証の説明. WRASは、給水の無駄、誤用、不当な消費、又は汚染に対する規格で、適切な品質と規格を備えている必要があります。. どんな素材が選択可能ですか?. ナイロン ポリプロピレン製 ポリフェニレニサルファイド(PPS). 特長. 使用温度： -10 ℃ → +120 ℃ N/O又はN/Cスイッチ出力 180 °回転すると、スイッチ動作を逆にすることが可能 ガスケット素材の選択：シリコン、ニトリル、バイトン、又はシリコンとニトリルの組み合わせ フライングリード M12プラグ接続 タンク内部での内部及び外部取り付け UL認定. 用途. これらのCynergy3水平スイッチは、自販機、業務用洗濯機、エバポレータ装置で多く使用されています。

信号スイッチング用で、トランジスタ入力 / 低電力、抑制コイルミニチュアリレーでの使用に最適です。誘導負荷又は突入負荷(例えば、フィラメントランプ)には適していません。. Cynergy3水平フロートスイッチ. Cynergy3は、WRAS認証を受けた、低価格・小型設計の幅広い水平スイッチを取り揃えています。この水平フロートスイッチは、リードスイッチとピボットアクチュエータマグネットで構成され、N/O又はN/C操作で使用できます。この機器を取り付ける際に、フロートスイッチを本体の下方ではなく上方にセットすると、スイッチ動作を逆にすることができます。. WRAS認証の説明. WRASは、給水の無駄、誤用、不当な消費、又は汚染に対する規格で、適切な品質と規格を備えている必要があります。. どんな素材が選択可能ですか?. ナイロン ポリプロピレン製 ポリフェニレニサルファイド(PPS). 特長. 使用温度： -10 ℃ → +120 ℃ N/O又はN/Cスイッチ出力 180 °回転すると、スイッチ動作を逆にすることが可能 ガスケット素材の選択：シリコン、ニトリル、バイトン、又はシリコンとニトリルの組み合わせ フライングリード M12プラグ接続 タンク内部での内部及び外部取り付け UL認定. 用途. これらのCynergy3水平スイッチは、自販機、業務用洗濯機、エバポレータ装置で多く使用されています。

信号スイッチング用で、トランジスタ入力 / 低電力、抑制コイルミニチュアリレーでの使用に最適です。誘導負荷又は突入負荷(例えば、フィラメントランプ)には適していません。. Cynergy3水平フロートスイッチ. Cynergy3は、WRAS認証を受けた、低価格・小型設計の幅広い水平スイッチを取り揃えています。この水平フロートスイッチは、リードスイッチとピボットアクチュエータマグネットで構成され、N/O又はN/C操作で使用できます。この機器を取り付ける際に、フロートスイッチを本体の下方ではなく上方にセットすると、スイッチ動作を逆にすることができます。. WRAS認証の説明. WRASは、給水の無駄、誤用、不当な消費、又は汚染に対する規格で、適切な品質と規格を備えている必要があります。. どんな素材が選択可能ですか?. ナイロン ポリプロピレン製 ポリフェニレニサルファイド(PPS). 特長. 使用温度： -10 ℃ → +120 ℃ N/O又はN/Cスイッチ出力 180 °回転すると、スイッチ動作を逆にすることが可能 ガスケット素材の選択：シリコン、ニトリル、バイトン、又はシリコンとニトリルの組み合わせ フライングリード M12プラグ接続 タンク内部での内部及び外部取り付け UL認定. 用途. これらのCynergy3水平スイッチは、自販機、業務用洗濯機、エバポレータ装置で多く使用されています。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力用途向けに設計された TO-92 パッケージに収納されています。鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 W。最小DC電流ゲイン = 120。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力の表面実装用途向けに設計された SOT-223 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 29 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 37 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 10.63mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 47 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。シリーズ = E Series。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 357 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

特殊機能 = 最大スイッチング速度500 ns、電圧低下ロックアウト保護(UVLO) (ヒステリシスあり) オプトカプラ、トランジスタ出力、Avago Technologies. 電源シーケンスコントローラ及び入出力インターフェイスアプリケーション用にDC入力シングル及びマルチチャンネルフォトトランジスタオプトカプラが使用されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 19 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 4V。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 179 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 15.87mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意 品番の先頭は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途向けです 用途 ESD保護 極性反転保護 データライン保護 誘導負荷保護 ステアリングロジック

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計され、デバイスの取り付け面をヒートシンク又はシャーシから電気的に絶縁する必要があります。電気的に普及した TIP122 および TIP127 に類似しています 100 VCEO ( sus ) 定格コレクタ電流： 5 A 分離ワッシャは不要です システムコストの削減 高 DC 電流ゲイン： 2000 (最小) @ IC = 3 ADC 鉛フリーパッケージを用意