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抵抗器内蔵の超高輝度LED表示灯です。AC100V、200V用電源にダイレクトに接続できます。200mmのリード線(UL1007 #24)付です。

抵抗器内蔵の超高輝度LED表示灯です。AC100V、200V用電源にダイレクトに接続できます。200mmのリード線(UL1007 #24)付です。

ハンドル周りのカスタムに必要なLEDインジケーターをラインナップ。抵抗内蔵なのでそのまま12V電源で使用可能です。

光源にLEDを用いた商品になります。

保護構造はIP65(IEC 60529)

抵抗内蔵型なので直接AC100Vで点灯可能です。

防水・防滴タイプでIP65認定品です。 長さ200mmのリード線付です。 環境制限下対応のLED表示灯です。 動作温度範囲が-30～+85℃まで適用となっております。

豊富な静電気対策製品が電子部品および作業者を保護するために用意されています。しかし、これらの製品を正しく機能させるためには、正しく接地することが必要です。3000シリーズを使うことで接地が確実に行えます。

Wシリーズとして開発されたプリント基板実装のDIP形デジタル・アッテネーター (ATT) スイッチは、メーカー独自のナイフエッジ・ハイプレッシャー接触構造と抵抗ネットワークを一体にし超薄型にまとめた複合製品で、高精度と高信頼性を保証します。

パッケージタイプ = TSOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.0 A RDS ( ON ) = 50 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 4.5 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ： MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル>： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = WDFN。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 8。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 3 x 1.9 x 0.75mm

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2 x 2 x 0.72mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 30 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.7 A RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 5.0 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。パワー MOSFET 170 mA 、 100 V 、 N チャンネル SOT-23品番の先頭が「 BVSS 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています