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パワーエースは従来のVベルトの断面形状を変えることにより、伝動力、寿命などを大幅に向上した高動力伝動用Vベルトです。 各種伝動装置のコンパクト化、あらゆる分野の省力化、コスト低減に有効です。 1本当たりの伝道力が高いため、ベルト本数が著しく減少できますので、装置のスペースが従来のVベルトの約1/3に縮小できます。 特殊配合ゴムの使用により、耐油性、耐熱性、難燃性、耐老化性、耐候性など数々の優れた性能を持っています。また、静電防止性能はRMA規格に合格しています。 研究を重ねた材料と製造方法により、寸法安定性に優れています。完全なマッチドセットと相まって、均一な動力伝道を行うことができます。また、保管中の寸法変化もほとんど起こりません。

コンパクト・高速運転・高動力伝道・長寿命が特長のパワーエースを進化させた省エネVベルトです。 損失トルクを削減して、伝動効率を向上させました。伝動能力を損なうことなく省エネ&CO2削減ができます。 プーリの変更が不要です。ベルトを掛け換えるだけでご使用いただけます。 ベルト曲げ剛性低減と自己発熱の抑制が実現しました。安定した寿命特性はパワーエース以上です。 長寿命です。

四輪で50年の歴史を持つエクセルオイルフィルター。確かな技術。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 850 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V。シリーズ = QFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.35 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 3.56mm。高さ = 1.6mm。QFETR NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 900 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = E-Line。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。最大パワー消費 = 850 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 2.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 40 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 3.1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 9.65mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 850 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 4.7mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

HOBUT 電気機械式 DIGITAL POWER MeterHOBUT M850 シリーズ電気機械式 DIGITAL POWER メータは、 28 → 570 V の測定範囲で電圧を測定できます。96 x 96 mm 成形ケースと 3 つのカラーバックライト LCD 画面の選択可能なメータを備えています。この電力計は使いやすく、ユーザー設定が可能な CT 及び VT 比を備えています。この装置は、 3 相 / 4 線式を箱から出してすぐに構成できます。他の入力電圧 / 単相もプログラムされます。 プログラマブル機能: 画面の色を選択可能 変流率 変圧率 BD レート、パリティ、停止 AC又はDC AUX 単相又は三相 RS485アドレス: 1-247 セキュリティコードアクセスをプログラミングに使用 標準機能： 位相電圧( V ) 相 - ニュートラル電圧( V ) 相電流( I ) 周波数(Hz) 有効電力( W ) 有効電力量( kWh ) 無効電力( VAR ) 皮相電力( VA ) 反応エネルギー( VARh ) 力率( PF ) 瞬間アンペア需要、瞬時ワット需要、瞬時 VA 需要、最大アンペア需要、最大ワット需要、最大 VA 需要、中性電流測定特長と利点プログラミング用の前面ボタン x 4 リレー出力は、W.h又はVAr.hに設定可能 付属の設置ガイドを参照するか、www.hobut.co.uk/power-metersで設置説明書一式及びRS485 Modbus登録アドレスをダウンロード 大型LCDディスプレイ オプションのRS485ポートにより、Modbus RTV又はBACNET (MSTP)プロトコルで通信可能 メータの精度は、 0.1 % (周波数)、 0.5 % (電圧 / 電流)、 1 % (有効電力)、 1 % (皮相電力)、 1 % (力率)です用途ビル管理システム 発電機 低、中、高電圧の制御パネルです 電力管理認定ANSI/ESD S20.20 ： 2014 です BS EN61340-5-1 ： 2007 CE認証

2056シリーズガス放電管、5 kA / 5 A. ライトデューティ3電極ラジアル設計 低静電容量及び低挿入損失 用途: 電気通信や産業用及び家庭用電化製品

Φ45、ポール取付けタイプ、ハーモニーブランド 積層式LED表示灯XVMシリーズ組立完成品 色変更可能な、組み立て完成品販売に加えて、1～4段の間で表示ユニットの段数や色を自由に組み合わせできる自作用モジュール販売にも対応しています。 引き出し線に直接電圧をかける配線なので、電球タイプからの置き換えも、配線そのままでスムーズです。 (引き出し線の色は製品シリーズによって異なりますので、配線色にご注意ください) ブザー付タイプは最大音量80dBです。 (音量調整ネジにて最小0dB～最大80dBまで調整可能) AC/DC24VタイプはNPN/PNPオープンコレクタ接続に標準対応しています。 保護特性IP42(正方向取付け時)です。

80 PLUS Gold効率認証。Gen5 12V-2x6 PCIeコネクタ装備で、Intel ATX 3.0規格に準拠。最新のPCIe Gen 5規格で最大2倍の 出力上昇に対応。50℃動作温度での連続出力に対応。先進の準ファンレス操作の低動作音120mmファン。奥行き140mmのコンパクト設計で搭載が容易