「igbt」の検索結果
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RoHS
長さ(mm)15.5
幅(mm)4.5
高さ(mm)20
ピン数(ピン)3
パッケージTO-3P
実装タイプスルーホール
最大連続コレクタ電流(A)50
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±25
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)230
トランジスタ構成シングル
使用温度範囲(℃)-55～175
接触抵抗(mΩ)20 max
耐久性10，000 cycles min
RoHS指令(10物質対応)対応
実装方法DIP(ディップ)
仕様IGBTモジュール、Vishay. Vishayの高効率IGBTモジュールは、PT、NPT、トレンチIGBTの各テクノロジから選べます。 製品にはシングルスイッチ、インバータ、チョッパ、ハーフブリッジ、カスタム構成品などがあります。 スイッチモード電源、無停電電源、溶接、モータドライブ、力率補正システムなどのメインスイッチングデバイスでの使用を念頭に設計されています。 主な用途には、ブースト / バックコンバータ、フォワード / ダブルフォワードコンバータ、ハーフブリッジ、フルブリッジ(Hブリッジ)、3相ブリッジなどがあります。. 幅広い業界標準パッケージスタイル ヒートシンクに直接取り付け PT、NPT、トレンチIGBTテクノロジを選択可能 低VCE(on) IGBT スイッチング周波数: 1 kHz → 150 kHz 堅実な過渡特性 高絶縁電圧: 最大3500 V 100 %鉛(Pb)フリー、RoHS対応 低熱抵抗 広い動作温度範囲(-40 → +175 ℃)
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
仕様最大パワー消費 = 35.7 Wパッケージタイプ = PG-TO220-3
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥9,898
税込￥10,888
7日以内出荷
仕様最大パワー消費 = 250 Wパッケージタイプ = PG-TO247-3
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥12,980
税込￥14,278
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 230 Wパッケージタイプ = SC-65実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 0.2μsトランジスタ構成 = シングル長さ = 20mm幅 = 15.5mm高さ = 4.5mm寸法 = 20 x 15.5 x 4.5mm動作温度 Max = +175 ℃IGBTディスクリート、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥659
税込￥725
欠品中
仕様最大連続コレクタ電流 = 60 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1100 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 333 Wパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.5mm幅 = 4.5mm高さ = 20mm寸法 = 15.5 x 4.5 x 20mm動作温度 Max = +175 ℃IGBTディスクリート、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥669
税込￥736
翌々日出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 230 Wパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 0.4μsトランジスタ構成 = シングル長さ = 15.5mm幅 = 4.5mm高さ = 20mm寸法 = 15.5 x 4.5 x 20mmゲート静電容量 = 1500pFIGBTディスクリート、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥859
税込￥945
翌々日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IGBTゲートドライブ、MOSFET最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 2ピン数 = 8パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 15ns最大入力電流 = 20 mA絶縁電圧 = 3750 V ac標準降下時間 = 8nsフォトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥419
税込￥461
当日出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 20 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 45 Wパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 100kHzトランジスタ構成 = シングル長さ = 10mm幅 = 4.5mm高さ = 15mm寸法 = 10 x 4.5 x 15mm動作温度 Max = +150 ℃IGBTディスクリート、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥499
税込￥549
翌々日出荷
長さ(mm)62.8
寸法(mm)62.8×34×12
高さ(mm)12
ピン数(ピン)22
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
最大連続コレクタ電流(A)20
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)156
1台
￥44,980
税込￥49,478
6日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 100 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 333 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3寸法 = 16.03 x 21.1 x 5.16mm動作温度 Min = -40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥19,980
税込￥21,978
7日以内出荷
仕様ロジックタイプ = CMOS出力電流 = 3 A供給電圧 = 20Vピン数 = 24パッケージタイプ = 24リードSSOPnsドライバ数 = 2
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
￥35,980
税込￥39,578
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 428 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.03 x 21.1 x 5.16mm動作温度 Min = -40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥22,980
税込￥25,278
7日以内出荷
最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 290 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm。動作温度 Max = +150 ℃。ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥10,980
税込￥12,078
5日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流：80 A
寸法(mm)15.6×4.7×20.6
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor
パッケージTO-247
実装タイプスルーホール
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)349
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1個
￥879
税込￥967
5日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流：80 A
寸法(mm)15.6×4.7×20.6
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor
パッケージTO-247
実装タイプスルーホール
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)290
トランジスタ構成シングル
最小動作温度(℃)-55
1個
￥599
税込￥659
5日以内出荷
IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)16.26×5.3×21.46
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
最大連続コレクタ電流(A)200
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
トランジスタ構成シングル
スイッチングスピード50kHz
最大パワー消費1250W
1個
￥3,298
税込￥3,628
5日以内出荷
IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)16.13×5.21×21.34
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
最大連続コレクタ電流(A)58
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費195W
1個
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
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