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充電部に誤って指が触れることを防止したフィンガープロテクト形端子台です。 シリーズ全機種、海外安全規格認定品(IEC/EN・UL・CSA)です。 アップ端子ネジ構造ですので、端子ネジの脱落がなく配線作業が容易です。

充電部に誤って指が触れることを防止したフィンガープロテクト形端子台です。 シリーズ全機種、海外安全規格認定品(IEC/EN・UL・CSA)です。 アップ端子ネジ構造ですので、端子ネジの脱落がなく配線作業が容易です。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 1 kHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

レース内径面にテフロンライナーを接着してあり、ボール球面とテフロンライナー面ですべり運動します。テフロンライナーは自己潤滑性をもつため、グリース等の潤滑剤は不要です。したがって、油分をきらうところや潤滑が困難または不可能な場所での使用に有効です。また、潤滑機構を必要としないためメンテナンスのコストを下げることにも有効です。テフロンタイプのスフェリカルは低速揺動下での使用に適しています。また、振動荷重下でも比較的良好な性能を発揮します。したがって、メタルタイプでは摩擦が大きすぎたり、焼付きや疲れ破損を起こしやすい、摺動面のフレッティングが問題になるといった場合にはテフロンタイプに交換することが有効な対策となります。

USB Type-C入出力対応。3台同時充電可能。コンパクトなパッケージサイズ

ケイフレックスを制御盤類のノックアウトに接続するためのNPTおねじ付きコネクタです。

・T溝に取付けてご使用ください。・下方向への確実なクランプができます。・クランプジョーを反転することで、ワークの仕上面、黒皮面の両方に対応できます。・カムスクリューにより、迅速で強力なクランプができます。・クランプは右回転にてご使用ください。・ワークのストッパーは右側に設置してください。・RoHS指令適合製品です。

・T溝に取付けてご使用ください。・下方向への確実なクランプができます。・クランプジョーを反転することで、ワークの仕上面、黒皮面の両方に対応できます。・カムスクリューにより、迅速で強力なクランプができます。・クランプは右回転にてご使用ください。・ワークのストッパーは右側に設置してください。・RoHS指令適合製品です。

マルチシートの穴あけと同時に植付け穴をあけることができます。

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 10000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 100nA。幅 = 1.4mm。ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

電動剪定ハサミ枝切っ太郎 ASH-30M専用の充電池です。

ヘッド部を45°ピッチで旋回できます。

電動剪定ハサミ枝切っ太郎 ASH-25M専用の充電池です。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 4 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。汎用NPNトランジスタ、最大1.5 A、Diodes Inc