「rf-5」の検索結果

静電容量 = 220nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 5 x 3.2 x 5mm。長さ = 5mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 5mm。シリーズ = K。抑制クラス = Class 2℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード

静電容量 = 100nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。末端仕様 = ラジアル℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード

静電容量 = 4.7nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.5 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.5mm。高さ = 4mm。シリーズ = K472K。末端仕様 = ラジアル。Mono Kap溶融ラジアルコンデンサ. X7R誘電体 均一なコーティング ラジアルパッケージ

静電容量 = 100nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.5 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.5mm。高さ = 4mm。シリーズ = K104K。末端仕様 = ラジアル。Mono Kap溶融ラジアルコンデンサ. X7R誘電体 均一なコーティング ラジアルパッケージ

静電容量 = 10nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.5 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.5mm。高さ = 4mm。シリーズ = K103K。末端仕様 = ラジアル。Mono Kap溶融ラジアルコンデンサ. X7R誘電体 均一なコーティング ラジアルパッケージ

静電容量 = 10nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。抑制クラス = Class 2℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード

静電容量 = 100nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。動作温度 Max = +125℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード

静電容量 = 47nF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = スルーホール。温度特性 = X7R。許容差 = ±10%。寸法 = 4 x 2.6 x 4mm。長さ = 4mm。奥行き = 2.6mm。高さ = 4mm。シリーズ = K。抑制クラス = Class 2℃。Vishay Kシリーズ. Vishay Kシリーズ積層セラミックコンデンサは、両側に銀めっきが施されたセラミックディスクに、黄色の難燃性エポキシ樹脂がコーティングされています。 Kシリーズは、さまざまな静電容量や電圧のタイプを取り揃えた非常に信頼性の高いコンデンサです。幅広い用途に適しています。. 積層DCコンデンサ 小型 ラジアルリード

薄型パレットに対応するRFIDタグホルダー

Radiolineコンフスティック (RFバンド5)

配管類、ダクトの吊防振に最適 ： 吊形防振ゴムRF形は配管類、ダクト、機械装置等を天井より吊り下げる場合に最適です。 取付け作業性が良好 ： 取付けが簡単で軽荷重から大荷重まで幅広く対応します。RF形は防振ゴムとハンガーが一体になっていますので取付け作業が大幅に改善されます。 良好な防振効果 ： 15Hz以上の振動に対して有効な防振効果が得られます。また防振ゴムをダブルに使用することによって更に低い固有振動数が得られ10Hz以上の振動を防振できます。

スポット照明、ダウンライト等に最適です。

パソコンを中心とした情報通信機器や家電製品、自動車の制御モーターなどに多く使用されるミニチュアベアリングです。 高精度が要求される回転機器などの軸を安定的に回転させるために、軸を受ける部分に使用される精密部品です。

フロントファスナー開きの女性専用スクラブです。 涼感素材のニットが快適な着心地を提供します。 アシンメトリーの衿元が自由さを感じさせます。

フロントファスナー開きの女性専用スクラブです。 涼感素材のニットが快適な着心地を提供します。 シンプルでありながら衿元のデザインが楽しさを感じさせます。

AREは，ベアリーFL3000を自動圧縮成形した商品で，内径は3mm～12mmを標準化しています。

耐刃性と耐熱性、耐薬品性(じ亜塩素酸ソーダ等)に優れたベクトランを素材に使用した手袋に、油性シリコン製のパワークラッチが親指と人差し指の間に施され強力なグリップ力を実現しています。

動きやすいストレッチ性、接触冷感機能を併せもった素材を活用し、かぶって着る際のわずらわしさを解消する前開きファスナ-型スクラブのご提案です。 ハイブリッドな機能性を併せもつスクラブです。

フロントファスナー開きの男性専用スクラブです。 涼感素材のニットが快適な着心地を提供します。

研磨布と研磨布の間が開いているので、サビや塗料を剥がしても目詰まりしません。又、研磨布が直立しているので、ワークに強く当たって傷をつけることがありません。鉄系・非鉄系金属の研磨、塗料はがし・サビ落とし、木材の皮はがし作業に適しています。

プリント基板上に子基板を0°～90°まで15°づつ角度を変えられる取付金具です。 半田付側ベースをプリント基板に半田付して固定し、プリント基板取付金具を御希望の角度にしてネジを締めこんで下さい。 次に子基板をネジで取付けて下さい。 子基板取付け側はM3、M4、2種類用意しています。

Oリングファイル/A4/綴厚39mm A4 2穴 S型。ボード製ファイル

研磨布と研磨布の間が開いているので、サビや塗料をはがしても目づまりしません。また、研磨布が直立しているので、強く当たってワークを傷つけることがありません。鉄系・非鉄系金属の研磨、塗料はがし、サビ落とし、木材の皮はがしに適しています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 5.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 540 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 43 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

Infineon 車載用NチャンネルパワーMOSFET. InfineonのAECQ-101車載用認定済みシングルダイNチャンネルデバイスの包括的なポートフォリオは、多くの用途で幅広い電源要件に対応します。このディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品群には、表面実装及びリード線付きパッケージのNチャネルデバイスと、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

配管類、ダクト、機械装置等を天井から吊り下げる場合に最適です。 防振ゴムとハンガーが一体になっているため、取り付けが簡単です。 15Hz以上の振動に対して有効な防振効果が得られます。 また、防振ゴムをダブルで使用することで更に低い固有振動数が得られ、10Hz以上の振動を防振できます。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 28 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 77 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 14 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大パワー消費 = 88 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。