仕様チャンネルタイプ:N、最大連続ドレイン電流:60 A、最大ドレイン-ソース間電圧:1200 V、最大ドレイン-ソース間抵抗:52 mΩ、最大ゲートしきい値電圧:4V、最低ゲートしきい値電圧:2V、最大ゲート-ソース間電圧:-5 V, +20 V、パッケージタイプ:TO-247、実装タイプ:スルーホール、トランジスタ構成:シングル、チャンネルモード:エンハンスメント型、カテゴリー:パワーMOSFET、最大パワー消費:330 W、標準ターンオフ遅延時間:26ns、WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet(TM)、C2M(TM)、C3M(TM)シリコンカーバイドパワーMOSFET Creeのパワー部門であるWolfspeedの次世代SiC MOSFET製品で、業界をリードする電力密度とスイッチング効果を実現します。 これらの低容量デバイスは、高いスイッチング周波数を可能にします。冷却要件が軽減され、システム全体の動作効率が向上します。 ; 強化モードNチャンネルSiC技術 ; 高出力ソース絶縁破壊電圧: 最大1200 V ; 複数のデバイスを簡単に接続して駆動 ; 高速スイッチング、低いオン状態抵抗 ; 抗ラッチアップ動作
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥199,800
税込¥219,780
5日以内出荷
仕様WolfspeedシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュール. Cree Inc.の電源部門であるWolfspeedのシリコンカーバイドパワーMOSFETモジュールです。このSiC MOSFETモジュールは、業界標準のパッケージに収納され、ハーフブリッジ(2 MOSFET)及び3相(6 MOSFET)形式で利用可能で、SiC逆回復ダイオードが付属します。 誘導加熱、太陽光及び風力インバータ、DC-DCコンバータ、3相PFC、ライン回生ドライブ、UPS及びSMPS、モータドライブ及びバッテリ充電器などが主な用途です。. ; MOSFETターンオフテール電流及びダイオード逆回復電流は効率的にゼロになります。 ; 超低損失高周波動作 ; SiC特性により、並列が容易 ; 通常オフ、フェイルセーフ動作 ; 銅製ベースプレートと窒化アルミ絶縁物によって熱要件を軽減
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最小ゲートしきい値電圧(V)1.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+25
カテゴリーパワーMOSFET
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 16 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。シリーズ = MegaFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 60 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V, +10 V。長さ = 6.73mm。高さ = 2.39mm。MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥849
税込¥934
5日以内出荷
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥769
税込¥846
当日出荷
Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 90 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 463 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +25 Vトランジスタ素材 = SiCmm動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥19,980
税込¥21,978
5日以内出荷
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥929
税込¥1,022
当日出荷
絶縁ゲートドライバオプトカプラ、 Broadcom. Avago Technologiesの光絶縁ゲートドライブデバイスは、IGBT / パワーMOSFETトランジスタを駆動できるように最適化されています。オプトカプラは、レールツーレール出力、高速ゲートスイッチング速度、高コモンモード除去( CMR )、及び強化絶縁を特長としています。 Broadcom R2Coupler 絶縁製品は、重要な車載用途や高温用途に必要な強化された絶縁性と信頼性を提供します。 この絶縁ゲートドライバオプトカプラは、モータ制御や電力変換の用途に最適です。これはロジック信号が絶縁されていて高電圧から保護されている場合のソリューションです。
仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = SiC MOSFETゲートドライブ最大順方向電圧 = 1.95Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = SO標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms論理出力 = あり標準降下時間 = 30nsシリーズ = ACPL
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
¥45,980
税込¥50,578
5日以内出荷
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
チャンネルタイプP
実装タイプ表面実装
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン ソース間降伏電圧 最大 1200 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 196 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -5 V, +20 Vトランジスタ素材 = SiCmm高さ = 21.1mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥55,980
税込¥61,578
5日以内出荷
Wolfspeed シリコンカーバイドパワーMOSFET. Wolfspeed Z-Fet / C2M / C3M シリコンカーバイドパワーMOSFETです。業界最高レベルの電力密度とスイッチング効率を実現する、Cree のパワー部門 Wolfspeed の第 2 世代 SiC MOSFETです。これらの低静電容量デバイスは、より高いスイッチング周波数を可能にし、冷却の必要性を低減して、システム全体の動作効率を向上させます。. エンハンスメントモードのNチャネルSiCテクノロジー 高ドレイン - ソース間降伏電圧 - 最大 1200 V 複数のデバイスを簡単に並列接続して駆動します 高速スイッチング・低オン抵抗 ラッチアップ耐性動作
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1200 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 208 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.2V最低ゲートしきい値電圧 = 1.7V最大パワー消費 = 208 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V、+25 Vトランジスタ素材 = SiCmm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥119,800
税込¥131,780
5日以内出荷
ピン数(ピン)8
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 800 V。シリーズ MDmesh, SuperMESH。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 4.5V。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 40 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V。トランジスタ素材 Simm。高さ 9.3mm。STMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。シリーズ = MegaFET。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 131 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 10.67mm。高さ = 9.4mm。MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥12,980
税込¥14,278
5日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 30 V●パッケージタイプ : SOT-346T●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●チャンネルモード : エンハンスメント型●トランジスタ素材 : Si
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
¥89,980
税込¥98,978
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●パッケージタイプ : TO-252●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●チャンネルモード : エンハンスメント型●1チップ当たりのエレメント数 : 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,198
税込¥1,318
5日以内出荷
仕様●LED色 : 赤●パッケージタイプ : 2012 (0805)●実装タイプ : 表面実装●LED数 : 1●順方向電圧 : 1.8 V●光度 : 2.5 mcd●ピン数 : 2●レンズ形状 : 長方形●主波長 : 620 nm●寸法 : 2 x 1.25 x 0.8mm●ROHM チップ LED SML-21 シリーズ. 表面実装型のSML-21シリーズはロームの0805フットプリントチップLEDです。これらの角型フラットトップLEDは●豊富な色バリエーションが用意されています。また●SML-21のLEDには多様な発光タイプがあります。. パッケージサイズ: 2 x 1.25 x 0.8 mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥259
税込¥285
5日以内出荷
R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2,000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。
仕様●静電容量:68nF●電圧:400 V ac, 630 V dc●実装タイプ:スルーホール●許容差:±5%●シリーズ:R76_125C●自動車規格:AEC-Q200●長さ:18mm●奥行き:9mm●等価直列抵抗:19mΩ●寸法:18 x 9 x 12.5mm●温度特性:ポリプロピレン●末端仕様:はんだ●リード径:0.8mm
アズワン品番65-7147-18
1袋(20個)
¥2,398
税込¥2,638
7日以内出荷
R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2,000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。
仕様●静電容量:1.2nF●電圧:2 kV dc, 700 V ac●実装タイプ:スルーホール●許容差:±5%●シリーズ:R76_125C●リード間隔:15mm●長さ:18mm●リード長さ:25mm●高さ:11mm●寸法:18 x 5 x 11mm●温度特性:ポリプロピレン●末端仕様:はんだ●動作温度 Min:-55℃
アズワン品番65-7147-39
1袋(25個)
¥2,198
税込¥2,418
7日以内出荷
R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2,000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。
仕様●静電容量:22nF●電圧:1 kV dc, 600 V ac●実装タイプ:スルーホール●許容差:±5%●シリーズ:R76_125C●リード間隔:15mm●長さ:18mm●奥行き:6mm●等価直列抵抗:29mΩ●寸法:18 x 6 x 12mm●温度特性:ポリプロピレン●末端仕様:はんだ●リード径:0.8mm
アズワン品番65-7090-12
1袋(25個)
¥1,998
税込¥2,198
7日以内出荷
R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2,000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。
仕様●静電容量:8.2nF●電圧:1.6 kV dc, 650 V ac●実装タイプ:スルーホール●許容差:±5%●シリーズ:R76_125C●自動車規格:AEC-Q200●長さ:18mm●奥行き:5mm●高さ:11mm●寸法:18 x 5 x 11mm●温度特性:ポリプロピレン●末端仕様:はんだ●パッケージ/ケース:50
アズワン品番65-7147-34
1袋(25個)
¥1,398
税込¥1,538
7日以内出荷
R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2,000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。
仕様●静電容量:33nF●電圧:1.6 kV dc, 650 V ac●実装タイプ:スルーホール●許容差:±5%●シリーズ:R76_125C●リード間隔:15mm●長さ:18mm●リード長さ:25mm●高さ:14.5mm●寸法:18 x 8.5 x 14.5mm●温度特性:ポリプロピレン●末端仕様:はんだ●誘電正接:<lteq/>0.1%
アズワン品番65-7148-81
1袋(20個)
¥1,998
税込¥2,198
7日以内出荷
R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2,000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。
仕様●静電容量:560nF●電圧:1 kV dc, 600 V ac●実装タイプ:スルーホール●許容差:±5%●シリーズ:R76_125C●自動車規格:AEC-Q200●長さ:32mm●奥行き:22mm●高さ:37mm●寸法:32 x 22 x 37mm●温度特性:ポリプロピレン●末端仕様:はんだ●リード径:0.8mm
アズワン品番65-7087-05
1袋(2個)
¥1,998
税込¥2,198
7日以内出荷
R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2,000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。
仕様●静電容量:39nF●電圧:1 kV dc, 600 V ac●実装タイプ:スルーホール●許容差:±5%●シリーズ:R76_125C●リード間隔:15mm●長さ:18mm●リード長さ:25mm●高さ:14.5mm●寸法:18 x 8.5 x 14.5mm●温度特性:ポリプロピレン●末端仕様:はんだ●誘電正接:<lteq/>0.1%
アズワン品番65-7090-23
1袋(25個)
¥2,998
税込¥3,298
7日以内出荷
R76シリーズは、ポリプロピレンフィルム製で、二重メタライズドポリエステルフィルムを電極として、スズめっきワイヤのラジアルリードを備えています。ラジアルリードは、コンデンサ巻線の末端の金属層に電気溶接されています。このコンデンサは、自消性と耐溶剤性を備えた、熱硬化性樹脂素材のプラスチックケースに封入されています。電圧パラメータに応じて2種類の巻線構造が使用されています。電圧範囲:100→2,000Vdc静電容量範囲:100pF→15μFリード間隔:7.5→37.5mm容量許容差:±2.5%、±5%、±10%動作温度範囲:-55℃→+125℃過酷な環境で使用可能鉛フリー終端テープ及びリールパッケージ自己回復機能用途代表的な用途には、共振回路、高周波高電流、スナバとシリコン制御整流器(SCR及びIGBT)、SiC(例MOSFET)転流回路と、高電圧と高電流を組み合わせて周囲温度の高い用途で使用できます。
仕様●静電容量:2.7nF●電圧:1 kV dc, 600 V ac●実装タイプ:スルーホール●許容差:±5%●シリーズ:R76_125C●自動車規格:AEC-Q200●長さ:13mm●奥行き:4mm●等価直列抵抗:236mΩ●寸法:13 x 4 x 9mm●温度特性:ポリプロピレン●末端仕様:はんだ●リード径:0.6mm
アズワン品番65-7090-29
1袋(1800個)
¥57,980
税込¥63,778
7日以内出荷
仕様●シリーズ: QTS●ピッチ: 0.64mm●極数: 50●行数: 2●接続方向: ストレート●シュラウド/アンシュラウド: シュラウド●コネクタシステム: 基板対基板●結線方法: はんだ●表面処理:コンタクト: 金●定格電流: 1.1A●定格電圧: 285.0 V●0.635 mm SMT高速ヘッダ - QSS / QTSシリーズ. 基板スタッキング用途に適した表面実装ヘッダ シングルエンド又は差動ペア相互接続 用途: 高速通信インターフェイス
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,298
税込¥1,428
5日以内出荷
。Description。Who doesn't occasionally need power regulation? We certainly do, so we've designed the SparkFun BabyBuck Regulator Breakout to help us with just such a task. Featuring the AP63203 from Diodes Inc, this breakout board takes advantage of a 2A synchronous buck converter that has a wide input voltage range of 3.8V to 32V and fully integrated 125mΩ high-side power MOSFET/68mΩ lowside power MOSFET to provide high-efficiency step-down DC/DC conversion. All of this snuggled up in a low-profile, TSOT26 package that's integrated into a 0.4in by 0.5in board.。Unlike it's sibling, the BabyBuck sacrifices power option flexibility for space. Don't worry, though, because you can still use the plated through holes for input and output power. With some simple right-angle headers, you'll be up and running in no time.。Frequency Spread Spectrum(FSS)reduces EMI and a proprietary gate driver scheme resists switching node ringing without sacrificing MOSFET turn-on and turn-off times, which further erases high-frequency radiated EMI noise.。Get Started with the SparkFun Buck Regulator Hookup Guide。Features。Low-Profile Footprint。VIN 3.8V to 32V。VOUT 3.3V。Up to 2A Continuous Output Current。0.8V ± 1% Reference Voltage。22μA Ultralow Quiescent Current。Switching Frequency - 1.1MHz。Supports Pulse Frequency Modulation(PFM)。Up to 80% Efficiency at 1mA Light Load。Up to 88% Efficiency at 5mA Light Load。Fixed Output Voltage - 3.3V。Proprietary Gate Driver Design for Best EMI Reduction。Frequency Spread Spectrum(FSS)to Reduce EMI。Precision Enable Threshold to Adjust UVLO。Protection Circuitry。Overvoltage Protection。Cycle-by-Cycle Peak Current Limit。Thermal Shutdown
アズワン品番67-0421-86
1個
¥1,098
税込¥1,208
33日以内出荷
。Description。Add another eight pins to your microcontroller using a MCP23008 port expander. The MCP23008 uses two I2C pins which can be shared with other I2C devices, and in exchange gives you eight general purpose pins. You can set each of eight pins to be input, output, or input with a pullup. There's even the ability to get an interrupt via an external pin when any of the inputs change so you don't have to keep polling the chip.。Use this chip from 2.7-5.5V(good for any 3.3V or 5V setup), and you can sink/source up to 20mA from any of the I/O pins so this will work for LEDs and such. Team it up with a high-power MOSFET if you need more juice. DIP package means it will plug into any breadboard or perfboard.。You can set the I2C address by tying the ADDR0-2 pins to power or ground, for up to eight unique addresses. That means eight chips can share a single I2C bus - that's 64 I/O pins!。Features。8-bit remote bidirectional I/O port。High-speed I2C interface(MCP23008)。Hardware address pins。Configurable interrupt output pin。Configurable interrupt source。Polarity Inversion register for input port data polarity config.。External reset input。Low standby current:1 μA(max.)・ Operating voltage:。1.8V to 5.5V @ -40℃ to +85℃ I2C @ 100 kHz SPI @ 5 MHz。2.7V to 5.5V @ -40℃ to +85℃ I2C @ 400 kHz SPI @ 10 MHz。4.5V to 5.5V @ -40℃ to +125℃ I2C @ 1.7 kHz SPI @ 10 MHz
アズワン品番67-0421-32
1個
¥589
税込¥648
33日以内出荷
仕様ドライバ数:1動作供給電圧 Min:5 V動作供給電圧 Max:30 Vトポロジー:絶縁ゲートドライバ実装タイプ:表面実装ピーク出力電流:4A出力数:1極性:非反転パッケージタイプ:SDIPピン数:6寸法:4.58 x 11.5 x 2.05mmSi826xシリーズの絶縁ゲートドライバ、Silicon Laboratories. Silicon Labs Si826xシリーズのISOdriverを使用すれば、一般的なゲート駆動オプトカプラ向けにピン互換のあるドロップインアップグレードが可能です。 これらのデバイスは、幅広いインバータ制御やモータ制御の用途に使用される電源MOSFET及びIGBTの駆動に最適です。 Si826x絶縁ゲートドライバには、Silicon Labs独自のシリコン絶縁テクノロジーが使用されており、最大5.0 kV RMSをサポートしています。 このテクノロジーによって高性能が実現し、温度や使用年数による変動が削減され、部品間の結合がタイトになり、オプトドライバに比べてコモンモード除去比が向上します。
RoHS指令(10物質対応)対応
関連キーワード
1
2
次へ