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機械組立後の脱着が可能なセパレートタイプのカラーです。 後付けや、分解困難なシャフト部分に最適です。

機械組立後の脱着が可能なセパレートタイプのカラーです。後付けや、分解困難なシャフト部分に最適です。

ワイヤー入りのスパイラルと頑丈なメタルクリップの組み合わせで、業界最高の安心を約束する最強スパイラルストラップです。 強度・耐久性は抜群。装着も一発簡単装着。 メイドインジャパンのスパイラルコードは引っ張っても伸びきらず必ずもとに戻ります。 ズボンのベルト位置から万が一の落下時にも地面に携帯電話がつかない安心設計。 使いやすさと強度をまじめに考えた伸びるストラップです。

kEIBA 交換用バネ

機械の組立時やメンテナンス時に便利なセパレート構造のセットカラーです。 スラスト力が強く、シャフトに傷が付きにくいタイプです。 Dカット面を利用して、ブラケットなど様々な部品を取り付けることができます。

室内でも扱いやすい小型の四点杖

外径0基準で標準化。スライド、転回が自由でフレキシブルに使用できる製品です。

Deltec(デルテック)は、屋外で最低20年間使用できるように設計されたリールストラップタイプの結束バンド(ケーブルタイ)です。

止め具の汎用品です。Tピン、木ねじ類の使用できます。

Deltec(デルテック)は、屋外で最低20年間使用できるように設計されたリールストラップタイプの結束バンド(ケーブルタイ)です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 220 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 360 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.3mm。高さ = 0.93mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

測定データの管理をより簡単/正確に。Bluetoothで測定データをワンプッシュ送信 デジタル測定器にはBluetoothチップを内蔵。測定値は測定ボタンを押すとBluetooth経由でWindows対応PC/タブレット端末、またはiPhoneに瞬時に送信します。 Bluetooth通信では、従来データ送信に必要だった送信機・受信機・ケーブルは一切不要となります。 無料で使える測定データ簡単取り込みアプリ「 SmartMeasure(R) Lite 」もご用意。いつでもワンプッシュデータ送信が始められます。 TECLOCK製Bluetoothデジタル測定器から測定データを取り込み、保存及び出力(CSV形式)が可能です。 タイムスタンプ付き測定データの記録と測定データがリアルタイムでグラフ表示できます。

メダリオンのポリカーボネート製シリンジ外筒は、ガラスのように滑らかな手触りで、液体や気泡が確認し易い仕様です。 印字が剥がれたり、不鮮明になることもありません。

2本のワイヤーをバンドに使用していますので強固な締め付けが可能です。

外径0基準で標準化。転回せず、簡単に位置決めや再現ができる製品です。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 210 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V。最大パワー消費 = 340 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.25mm。順方向ダイオード電圧 = 1.4V。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 220 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。長さ = 2.92mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.85V。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 200 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

機械の組立時やメンテナンス時に便利なセパレート構造のセットカラーです。 スラスト力が強く、シャフトに傷が付きにくいタイプです。 ウレタンを貼り付けた、ストッパーに最適なセパレートカラーです。ウレタンにより衝撃音を低減します。