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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
769 税込846
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
929 税込1,022
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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619 税込681
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1袋(5個)ほか
439 税込483
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
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400 税込440
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1個ほか
519 税込571
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形状基板単体 シリーズLF 使用温度(℃)-10~70 定格入力電圧(V)AC85 ~ 264 1Φ 入力電圧(V)AC85~264 1Φ[ディレーティング] 保存温度(℃)-20~75 安全規格UL60950-1、C-UL(CSA60950-1)、EN62368-1取得、電安法準拠 振動(m/s2)19.6[10~55Hz(2G)周期3分 X、Y、Z方向各1時間] 衝撃(m/s2)196.1(20G)11ms X、Y、Z方向各1回 保持時間(ms)20typ(ACIN 100V、Io=100%) 雑音端子電圧FCC-B、VCCI-B、CISPR22-B、EN55011-B、EN55022-B準拠 入力形式フルレンジ入力 出力形式シングル出力 使用湿度(%RH)20~90(結露なし)[ディレーティング] 保存湿度(%RH)20~90(結露なし) 運転表示なし
1個
1,998 税込2,198
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 260 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
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1袋(2個)ほか
1,598 税込1,758
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 395 W標準ターンオフ遅延時間 = 348 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
700 税込770
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
209 税込230
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プログレス レーシングCDI DAYTONA(デイトナ) 動画あり
各車専用回路内蔵により、ノーマルエンジン特性にベストマッチの点火タイミングに設定した、アナログタイプの最高峰CDI。パワーフィルター、チャンバー装着等のファインチューンマシンにもベスト。※ビッグボア装着等ハイチューンにはパワーアドバンスフルデジタルCDIをオススメします。リミッターカット耐熱回路内蔵。アルミ製ブルーアルマイトの軽量コンパクトボディ採用。
仕様点火作動確認用LEDランプ付。リミッターカット・耐熱回路内蔵。アルミ製ブルーアルマイトの軽量コンパクトボディ採用。点火タイミングに合わせて光る、作動確認用のLEDチェックランプ。
1個
5,998 税込6,598
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仕様●コンパレータタイプ: 汎用●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●電源タイプ: ±2電源, 単一電源●出力タイプ: CMOS、DL、ECL、MOS、TTL●回路数: 2●標準応答時間: 1.3μs●ピン数: 8●標準シングル供給電圧: 2 → 36 V●寸法: 5×4×1.25mm●長さ: 5mm●幅: 4mm●高さ: 1.25mm●動作温度 Max: +125 ℃V●コンパレータ、ST Microelectronics. 高速コンパレータ(応答時間が速い) 低消費電力コンパレータ(低動作電流: 210 nA) 耐熱性認定デバイス 車載用グレードのコンパレータは、AEC-Q100及びAEC-Q101の認定を取得 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
949 税込1,044
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