「tlv」の検索結果

エナージェルインフリーは、記憶するだけではなく直感的なひらめきや、書いて双方向なやり取りを活性化させるボールペンです。たくさん書いて記憶するために、汚れるストレスを低減してくれる速乾性。

13.3インチまでのノートPCを収納するインナーケースと、周辺アクセサリーをまとめて収納するマルチポーチのセットです。ゴム素材のしっかりとしたクッション材が大切なノートPCを傷や衝撃から保護します。伸縮性とクッション性に優れた素材ウェットスーツなどにも使用される、伸縮性とクッション性に優れたクロロプレンゴムをクッション材に採用しています。しっかりとしたクッション材が大切なノートPCを傷や衝撃から保護します。PCインナーケース収納例13.3インチまでのノートPCを収納することができます。マルチポーチ収納例ACアダプターやマウス等の周辺アクセサリーをまとめて収納することができます。

パソコン画面の左右からの覗き見を防止。プライバシーを守ります。周囲の明かり(蛍光灯や太陽光)の映り込みを抑え、画面を見やすくします。紫外線99%、ブルーライトを約45%カット。干渉縞モアレを防ぐフィルター構造キズが入りにくく、傷や汚れから液晶画面を保護するハードコート仕様です。取付用の両面テープと、スライドして取り外し可能にするためのマウンティングタブが付属します。

パソコン画面の左右からの覗き見を防止。プライバシーを守ります。周囲の明かり(蛍光灯や太陽光)の映り込みを抑え、画面を見やすくします。紫外線99%、ブルーライトを約45%カット。干渉縞モアレを防ぐフィルター構造キズが入りにくく、傷や汚れから液晶画面を保護するハードコート仕様です。取付用の両面テープと、スライドして取り外し可能にするためのマウンティングタブが付属します。

16インチの大画面でありながら1239gの軽さを実現。また、米国国防総省制定の「MIL-STD 810H」準拠のテスト7項目をクリアする耐久性を有しています。軽さだけではないトータルでのポータビリティでどこにでも連れ出せる高性能を実現しています。2560x1600(WQXGA)高解像度ディスプレイ フルHDの約2倍の情報を表示できる高解像度大画面が広い作業領域を提供。複数ウィンドウを並べての作業やAIアシスタントを常駐させても余裕の広さで高い生産性を発揮できます。一般的なフルHDよりも縦に長い16：10の縦横比が情報の一覧性を向上させ、スクロール頻度を減らすから集中を途切れさせません。さらにDCI-P3 99%の正確かつ幅広い色再現が映像編集等のクリエイティブワークにも応えます。明るい屋外などの環境でも反射や映り込みを抑制。見やすい画面を提供します。47 TOPSの処理能力を有するAI処理に特化したNPUを内蔵したインテル Core Ultra 5 プロセッサー 226Vを搭載。次世代AI PCの基準であるCopilot+ PCの条件を満たし、AIの力を引き出す快適なパフォーマンスを発揮します。Copilot in Windowsの機能をフルに活用し、AIとの共創で新たなアイデアを生み出したり、単純作業はAIに任せて好きなことに取り組んだり、AIの力でもっと可能性が拡がっていきます。高速な16GBのLPDDR5xメモリ、512GBのNVMe SSDがAIアプリはもちろんのことAI以外のソフトウェアも高速に処理します。カーボンナノチューブを使用した77Whの高密度大容量バッテリーが最長16.5時間(動画)/25時間(アイドル)の長時間駆動を実現。さらにAIがあなたの利用パターンを分析して、バッテリー効率を最適化します。

スペインの風景やフルーツなどの絵柄をスペインの職人が1枚1枚手描きで絵付けしています。スペインの空気感を感じられるタイルに仕上げました。

論理回路 = LCXロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 2シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = CMOS、シングルエンド実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 6高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.2 ns @ 15 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mmNL27Wシリーズ、ON Semiconductor. LVTTL互換の入力及び出力を備えているCMOSロジックゲートであり、74LCXデバイスよりも高速で大きな駆動能力を提供します。. 幅広い動作供給電圧: 1.65 → 5.5 V LVCMOS互換 3.0 Vで24 mAのソース / シンク容量

ドライバ数 = 1入力タイプ = HSTL、LVPECL出力タイプ = LVDSトランスミッションデータレート = 1600Mbps1チップ当たりのエレメント数 = 1実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = USピン数 = 8差動入力低閾値電圧 = -100mV寸法 = 2.3 x 2 x 0.7mm高さ = 0.7mm長さ = 2.3mm動作供給電圧 Max = 3.6 V幅 = 2mmLVDSリピータ、Fairchild Semiconductor

ドライバ数 = 28入力タイプ = LVTTL出力タイプ = LVDSトランスミッションデータレート = 2.38Gbps1チップ当たりのエレメント数 = 4実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 56差動入力高閾値電圧 = 100mV差動入力低閾値電圧 = -100mV寸法 = 14 x 6.1 x 1mm高さ = 1mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 3.6 V幅 = 6.1mmLVDSトランシーバ、Fairchild Semiconductor

公称電圧 = 1.24Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 高精度、プログラマブル立上がり精度 = ±1 %， ±2 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シリーズ / シャント出力電流 Max = 20mA入力電圧 Max = 16 V出力電圧 Min = 1.24 V出力電圧 Max = 16 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm幅 = 1.4mm

論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 2回路数 = 16極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.4 ns @ 30 pF幅 = 4.5mm74LCXファミリ、ON Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LCXロジックタイプ = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 1回路数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = LVTTL， TTL出力レベル = LVCMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8 ns @ 2.7 V寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバインターフェース = バッファ&ラインドライバIC入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = LVCロジックタイプ = バッファ， ドライバ回路数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = オープンドレイン極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 V伝播遅延テスト条件 = 50pF74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

公称電圧 = 1.24 - 18Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA入力電圧 Max = 20 V出力電圧 Min = 1.24 V出力電圧 Max = 18 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm幅 = 1.4mm可変電圧リファレンス、Diodes Inc

公称電圧 = 1.24 - 18Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 20mA入力電圧 Max = 20 V出力電圧 Min = 1.24 V出力電圧 Max = 18 Vピン数 = 3寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mm高さ = 1.02mm可変電圧リファレンス、Diodes Inc

ロジックタイプ = XOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.35mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.7mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = なしパッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.7mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = OR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SOT-353ピン数 = 5論理回路 = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5.5ns動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA幅 = 1.35mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

ロジックタイプ = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = なし最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 5ns高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5論理回路 = LVC寸法 = 3.1 x 1.7 x 1.3mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74LVC1Gファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = 74LVCロジックタイプ = バッファチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = シュミットトリガ出力タイプ = プッシュプル極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-25ピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14 ns @ 50 pF動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 1.7mm74LVCファミリ、Diodes Inc. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOS

論理回路 = ECL実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 8ロジックタイプ = トランスレータmm低レベル出力電流 Max = 24mA高レベル出力電流 Max = -3mA伝送 = LVPECL / LVDSからLVTTL動作供給電圧 Max = 3.8 Vns動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -40 ℃ECLロジックレベルトランスレータ、ON Semiconductor. ECL、PECL、CML、LVDS、HSTL、HCSL、TTL、CMOSデバイスと接続する差動(ECL)ロジックレベルトランスレータ

トラスコ中山製のバイスに使用するパーツです。

RenesasElectronics71V416シリーズ3.3VCMOSSRAMは、256Kx16で構成されています。71V416の双方向入出力はすべてLVTTL互換で、単一の3.3V電源で動作します。リードカウントは44、TSOPパッケージタイプです。SRAMはC温度グレードです。JEDECCenterPower/GNDピン配列でノイズを低減アクセス時間とサイクル時間の均等化-商用及び産業用：10/12/15nsチップ選択x1と出力イネーブルピンx1双方向のデータ入出力を直接実行LVTTL互換

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC

IC DAC 10BIT V-OUT 8SOIC

IC DAC 10BIT V-OUT 8VSSOP

IC BUS SWITCH 12 X 1：1 56TSSOP