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ベースポリマーとしてシリコーンが用いられているため、高い信頼性が得られます。 取り扱いが容易なため、位置合わせが簡単にできます。 優れた放熱性能に加え、絶縁性も向上しました。 難燃性に優れています。

ベースポリマーとしてシリコーンが用いられているため、高い信頼性が得られます。 取り扱いが容易なため、位置合わせが簡単にできます。 優れた放熱性能に加え、絶縁性も向上しました。 難燃性に優れています。

熱伝導性に優れています。 非シリコーン系の放熱材ですので、シロキサンガスが発生しません。 軟らかな素材のため、チップや基板の凹凸部分にも十分追従します。 密着性に優れているため、接着面の熱抵抗を小さくします。 電気絶縁性です。 耐久性に優れ、長期間使用後も安定した電気絶縁、熱伝導性を示します。 UL94 V-0の難燃規格を取得しています。(UL File No. E176845) 従来品よりも低臭タイプです。

パワートランジスターの下に取付けるだけで高い熱伝導率を得ることができます。 マイカ板と違ってグリースを併用する必要はありません。 従来のシリコンラバーより約7倍の熱伝導率があります。

Raspberry PiのUSBやEthernetコントローラの放熱用に適しています。

固定と熱伝導の一石二鳥。 張り付けるだけで効率のよい熱伝導と部品固定ができます。 対象物を選びません。 放熱用シリコン・コンパウンドは不要です。

電気絶縁性など優れた電気特性を持っています。 ガラスクロスあポリアミドフィルムによる補強タイプがあります。 シートだけではなく、キャップ状やチューブ状の製品があり、トランジスタなどの沿面距離の縮小に役立ちます。 ほとんどの製品がUL規格認定品で、優れた難燃性を示します。

ペルチェ素子に温度差を与え、発電する実験に最適です。

5590Hを柔軟にしたタイプです。 非シリコーン系の放熱材ですので、シロキサンガスが発生しません。 応力緩和性に優れるため、組込み後の電子素子への圧力を低減できます。 密着性に優れているため、接着面の熱抵抗を小さくします。 軟らかな素材のため、チップや基板の凹凸部分にも十分追従します。 熱伝導性に優れています。 電気絶縁性です。 UL94 V-0難燃性規格を取得しています。[File No. E176845] 耐久性に優れ、長期間使用後も安定した電気絶縁、熱伝導特性を示します。

本製品のみでヒートシンクと同様に放熱ができます。 熱伝導性に優れ、発熱体の発熱をれた場所に移動させることができます。 薄くフレキシブルなため、加工がしく、狭い場所等へも貼り付けることができます。 属製のヒートシンクと比べて軽です。 表面(黒色)も粘着面も絶縁されているので、パーツの属部に直接貼れます。

電気絶縁性など優れた電気特性を持っています。 ガラスクロスあポリアミドフィルムによる補強タイプがあります。 シートだけではなく、キャップ状やチューブ状の製品があり、トランジスタなどの沿面距離の縮小に役立ちます。 ほとんどの製品がUL規格認定品で、優れた難燃性を示します。

湿気と反応して常温で硬化・接着し、硬化後はゴム弾性体になります。発熱部品からの冷却機器へ熱伝導と同時に、固定・接着も可能です。

パワートランジスターの取付等、絶縁したい部分に御使用下さい。

実装済み基板の補修用絶縁コーティング剤です。 絶縁性に優れ、ソルダーレジストについた傷や剥がれなどの絶縁対策に効果的です。 ガスバリア性に優れ、湿気や腐食性ガスから基板を守ります。 有機溶剤中毒予防規則に非該当です。

電気絶縁性など優れた電気特性を持っています。 ガラスクロスあポリアミドフィルムによる補強タイプがあります。 シートだけではなく、キャップ状やチューブ状の製品があり、トランジスタなどの沿面距離の縮小に役立ちます。 ほとんどの製品がUL規格認定品で、優れた難燃性を示します。

抵抗 = 10Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 15Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 22Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。動作温度 Max = +155℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 100Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。動作温度 Min = -55℃。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 4.7Ω。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

抵抗 = 10kΩ。定格電力 = 50W。許容差 = ±5%。テクノロジー = 厚膜。シリーズ = RTO 50。パッケージ/ケース = TO-220。温度係数 = ±150ppm/℃。リード間隔 = 5.08mm。50 W厚膜型TO-220電力抵抗器 - RTO 50シリーズ. Vishay Sfernice RTO50シリーズの厚膜型、無誘導抵抗器はTO-220エンクロージャに収納 ヒートシンクに抵抗器を取り付けた場合、50 Wの放熱が可能 (ヒートシンクに取り付けた場合、公称電力は50 W @ 25 ℃)

TO-220、21、及び 25 K/W 用の取り付け可能なヒートシンク。着脱可能なヒートシンクはすべて黒色陽極酸化ダイキャストアルミ製です。 FK 237 シリーズのヒートシンクには、次の機能があります。非常にスリムな設計で、スペースを節約できます ヒートシンクを TO220 ハウジングにスライドさせて簡単に組み込み可能 TO-220 ハウジングの固定クリップがヒートシンクにしっかりと押し付けられるため、熱伝導が最適化されます 水平及び垂直のどちらの取り付け位置でも放熱性能が高くなっています。バージョン:。FK 220-SA-220 はんだタグがなく、トランジスタ保持スプリングで TO-220 ハウジングに簡単に取り付けられます FK 237-SA-220 H スズめっきはんだタグを使用すると、基板に水平位置で直接はんだ付けできます FK 237-SA-220 O はんだタグなし FK 237-SA-220V スズめっきはんだタグを使用すると、基板に垂直位置で直接はんだ付けできます