「v251」の検索結果

小型の下方押え型トグルクランプ。

ロッド先端金具にロッドエンド付を標準化 既存製品と取付互換 豊富な取付支持金具 設置状況に合った取付支持が可能 取付け自由度の向上 ロッド先端金具、揺動受け金具付の品番を追加

抵抗 = 100MΩ。テクノロジー = 厚膜。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±5%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±200ppm/℃。シリーズ = CHV。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。2512型高電圧抵抗器、CHVシリーズ. CHVシリーズ高電圧厚膜チップ抵抗器 広い抵抗範囲 用途: 高電圧用途、家庭用電化製品など

2512型高電圧抵抗器、CHVシリーズ. CHVシリーズ高電圧厚膜チップ抵抗器 広い抵抗範囲 用途: 高電圧用途、家庭用電化製品など

新技術により耐久性4倍以上 メンテナンス回数の削減 既存製品(エアシリンダ CM2 Series)と仕様、外形寸法は同一

2512型高電圧抵抗器、CHVシリーズ. CHVシリーズ高電圧厚膜チップ抵抗器 広い抵抗範囲 用途: 高電圧用途、家庭用電化製品など

・ロッド先端金具にロッドエンド付を標準化 ・既存製品と取付互換 ・豊富な取付支持金具 設置状況に合った取付支持が可能 取付け自由度の向上 ・ロッド先端金具、揺動受け金具付の品番を追加 シリンダと金具を別々に手配する手間が省けます。 ・オートスイッチ位置微調整が容易 ・ボスカットタイプによる全長短縮 ・オートスイッチ付 (CDM2-Z1)

ロッド先端金具にロッドエンド付を標準化 既存製品と取付互換 豊富な取付支持金具 設置状況に合った取付支持が可能 取付け自由度の向上 ロッド先端金具、揺動受け金具付の品番を追加

新技術により耐久性4倍以上 メンテナンス回数の削減 既存製品(エアシリンダ CM2 Series)と仕様、外形寸法は同一

・ロッド先端金具にロッドエンド付を標準化 ・既存製品と取付互換 ・豊富な取付支持金具 設置状況に合った取付支持が可能 取付け自由度の向上 ・ロッド先端金具、揺動受け金具付の品番を追加 シリンダと金具を別々に手配する手間が省けます。 ・オートスイッチ位置微調整が容易 ・ボスカットタイプによる全長短縮 ・オートスイッチ付 (CDM2-Z1)

静電容量 = 820μF。電圧 = 250V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 30 (Dia.) x 35mm。長さ = 35mm。動作温度 Min = -25℃。直径 = 30mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 2000h。許容差 = ±20%。KMQシリーズスナップイン式アルミ電解コンデンサ. KMQシリーズのアルミ電解コンデンサは、2200 μFの大きな静電容量及び小型化されたスナップイン端子を備えています。 これらのKMQアルミ電解コンデンサは、105 ℃で最大2000時間にわたり動作し、耐溶剤性はありません。

静電容量 = 470μF。電圧 = 250V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 22 (Dia.) x 40mm。長さ = 40mm。動作温度 Min = -25℃。直径 = 22mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 2000h。許容差 = ±20%。KMQシリーズスナップイン式アルミ電解コンデンサ. KMQシリーズのアルミ電解コンデンサは、2200 μFの大きな静電容量及び小型化されたスナップイン端子を備えています。 これらのKMQアルミ電解コンデンサは、105 ℃で最大2000時間にわたり動作し、耐溶剤性はありません。

透明フィルムが表面を保護し、こすっても水にぬれても文字が消えません。

バリスタ電圧 = 390V。最大AC定格電圧 = 250V。最大直流定格電圧 = 250V。制限電圧 = 650V。クランプ電流 = 200A。材料 = 金属J。シリーズ = HighE。直径 = 32mm。最大サージ電流 = 25000A。静電容量 = 2.2nF。長さ = 60mm。奥行き = 55mm。厚さ = 14mm。寸法 = 60 x 55 x 14mm。リード間隔 = 24mm。ブロックバリスタはプラスチックケースに樹脂注型され、製品上部にネジ形端子を備えたディスク形(円板形)のバリスタ素子です。ブロックバリスタはネジ固定でも単体でもご使用いただけます。プラスチックケース、及び注型樹脂には難燃性材料を使用しております。IEC61000-4-2レベル4に準拠したESD保護 単体で双方向のESD保護 最大85 ℃の温度でESD保護性能の変化なし (温度ディレーティング) EMI抑制と高周波フィルタリングに寄生容量を 使用(追加のMLCCの代替品) 耐高サージ電流 低寄生インダクタンス 低漏洩電流 高速応答時間: <0.5 ns 鉛フリーはんだ付けに適した鉛フリーニッケルバリア終端 RoHS互換

バリスタ電圧 = 390V。最大AC定格電圧 = 250V。最大直流定格電圧 = 320V。制限電圧 = 650V。クランプ電流 = 100A。材料 = 金属J。シリーズ = Standard。直径 = 21.5mm。最大サージ電流 = 8000A。静電容量 = 700pF。厚さ = 5.3mm。寸法 = 21.5 (Dia.) x 5.3mm。リード間隔 = 10mm。UL、CSA、VDE. 金属酸化物バリスタ標準シリーズ. 標準ラジアルエポキシコーティングMOVとスズめっき銅線リードを備えています。. スズめっき銅線リードとエポキシ樹脂でコーティングされたセラミックボディ 定格過渡電流(8//20 μs)及び定格エネルギー(2 ms)

バリスタ電圧 = 390V。最大AC定格電圧 = 250V。最大直流定格電圧 = 320V。制限電圧 = 650V。クランプ電流 = 5A。エネルギー = 8.2J。シリーズ = Standard。直径 = 7mm。最大サージ電流 = 400A。静電容量 = 55pF。厚さ = 4.2mm。寸法 = 7 (Dia.) x 4.2mm。リード間隔 = 5mm。UL、CSA、VDE. 金属酸化物バリスタ標準シリーズ. 標準ラジアルエポキシコーティングMOVとスズめっき銅線リードを備えています。. スズめっき銅線リードとエポキシ樹脂でコーティングされたセラミックボディ 定格過渡電流(8//20 μs)及び定格エネルギー(2 ms)

バリスタ電圧 = 390V。最大AC定格電圧 = 250V。最大直流定格電圧 = 320V。制限電圧 = 650V。クランプ電流 = 10A。材料 = 金属J。シリーズ = Standard。直径 = 9mm。最大サージ電流 = 1200A。静電容量 = 120pF。厚さ = 4.2mm。寸法 = 9 (Dia.) x 4.2mm。リード間隔 = 5mm。UL、CSA、VDE. 金属酸化物バリスタ標準シリーズ. 標準ラジアルエポキシコーティングMOVとスズめっき銅線リードを備えています。. スズめっき銅線リードとエポキシ樹脂でコーティングされたセラミックボディ 定格過渡電流(8//20 μs)及び定格エネルギー(2 ms)

Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = IPAK (TO-251)。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 6.73mm。高さ = 6.22mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

ハイスピード印刷、高解像度印刷対応テープです。(PT-9800PCN/9700PC/9500pc、RL-700S専用)

ハイスピード印刷、高解像度印刷対応テープ、通常のラミネートテープより、粘着力が強いテープです。(PT-9800PCN/9700PC/9500pc、RL-700S専用)

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201AD。最大連続 順方向電流 = 3A。ピーク逆繰返し電圧 = 1300V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 3μs。直径 = 5.3mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。Vishay BY251P-BY255P汎用整流器. DO-201ADエポキシパッケージの Vishay BY251P-BY255P シリーズ汎用整流器。これらの3 A整流器では、スズリードの寸法が25.4 mm、本体の寸法が9.5 x 5.3 mm (直径)になっています。 特長と利点: 低順方向電圧降下 低漏洩電流 高順方向サージ機能 用途 BY251P-BY255P整流器は、電源、インバータ、コンバータ、還流ダイオードの整流に最適です。これらの整流器は、汎用向けで、幅広い用途に適しています。 動作温度範囲 -55 → +150 ℃ ピーク逆反復電圧: BY251P - 200 V BY252P - 400 V BY253P - 600 V BY254P - 800 V BY255P - 1300 V

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 251A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 9.1mm。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定