ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 50 V， 220 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 220 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 360 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 20nS
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(10個)
最大連続ドレイン電流 = 220 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 360 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 20nS
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
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商品レビュー
よくあるご質問(FAQ)
- 質問：
- 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
- 回答：
- お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。
https://help.monotaro.com/app/ask
書類名）
1：SDS(MSDS)
2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
5：その他（ミルシート・出荷証明書）
2022-03-31
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