仕様トランジスタタイプ = NPN + PNP
最大DCコレクタ電流 = 3 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
パッケージタイプ = CPH
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 1.2 W
最小DC電流ゲイン = 200
トランジスタ構成 = コモンエミッタ
最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V、100 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V、6 V
最大動作周波数 = 380 MHz、390 MHz
ピン数 = 5
1チップ当たりのエレメント数 = 2
最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -1.2 V、1.2 V
デュアルNPN/PNPトランジスタ、ON Semiconductor. デュアルトランジスタパッケージで、それぞれ1つのNPNデバイスとPNPデバイスを含みます。