onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, SBC846BWT1G

onsemi トランジスタ, NPN, 表面実装, 100 mA, SBC846BWT1G onsemi

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V
パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 200 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
最大動作周波数 = 100 MHz
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
寸法 = 2.2 x 1.35 x 0.9mm
NPN バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-323/SC-70 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意 用途: ESD保護 極性反転保護 データライン保護 誘導負荷保護 ステアリングロジック

RoHS指令(10物質対応)対応 内容量1セット(3000個)
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81448878 SBC846BWT1G
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