onsemi トランジスタ， NPN， 表面実装， 600 mA， MMBT2222ALT1G

トランジスタタイプ = NPN
最大DCコレクタ電流 = 600 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 225 mW
最小DC電流ゲイン = 100
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
最大動作周波数 = 100 MHz
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
動作温度 Max = +150 ℃mm
NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。