onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, SBC846BPDW1T1G

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, NPN/PNP, 表面実装, 100 mA, SBC846BPDW1T1G onsemi

仕様●トランジスタタイプ : NPN/PNP●最大DCコレクタ電流 : 100 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 65 V●パッケージタイプ : SOT-363●実装タイプ : 表面実装●最大パワー消費 : 380 mW●トランジスタ構成 : デュアル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 6 V●ピン数 : 6●1チップ当たりのエレメント数 : 2●寸法 : 2.2×1.35×0.9mm●このデュアル NPN PNP バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低電力表面実装用途向けに設計された SOT-363/SC-88 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です RoHS指令(10物質対応)対応 内容量1袋(25個)
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02242628 SBC846BPDW1T1G
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