※サンプル画像(詳細は各品番の仕様をご確認ください)
低C×R=10pF・Ωを実現した新型MOS FETリレー負荷電圧40Vタイプ出力信号の減衰を抑えたオン抵抗=1Ω(標準)。開路時漏れ電流1.0nA(最大)。