仕様NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応パッケージPowerPAK SO実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)104標準ターンオフ遅延時間(ns)35チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)60最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10.5最小ゲートしきい値電圧(V)1.5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル