仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors長さ(mm)2.15RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT-363 (SC-70)実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)19チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)10.4最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)38最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET