- 仕様
- PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
- 長さ(mm)
- 2.15
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- SOT-363 (SC-70)
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(W)
- 19
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 10.4
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 30
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 38
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 0.6
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -12、+12
- トランジスタ構成
- シングル
- カテゴリー
- パワーMOSFET