仕様PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応パッケージPowerPAK 1212実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)52標準ターンオフ遅延時間(ns)83チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)22最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9.5最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET