仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductorsピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPowerPAK 1212実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)57チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)23最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20標準入力キャパシタンス(pF)5250@-15VカテゴリーパワーMOSFET