仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応パッケージPowerPAK 1212実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)3200標準ターンオフ遅延時間(ns)30、33チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.9最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)115最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET