仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT-223実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)3.1標準ターンオフ遅延時間(ns)15チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)690最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.2最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET