- 仕様
- PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- SOT-223
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(W)
- 3.1
- 標準ターンオフ遅延時間(ns)
- 15
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(mA)
- 690
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 100
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)
- 1.2
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 2
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、+20
- トランジスタ構成
- シングル
- カテゴリー
- パワーMOSFET