仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductorピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPowerPAK ChipFET実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)31チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)9.9最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)33最小ゲートしきい値電圧(V)1.2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20標準入力キャパシタンス(pF)1400@-15VカテゴリーパワーMOSFET