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SiDR392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY SILICONIX 48816855

Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET

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取扱停止中
内容量
1リール(3000個)
動作温度(℃)
(Min)-55
注文コード
48816855
品番
SiDR392DP-T1-GE3
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参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥648,780
販売価格(税別)
589,800
パッケージ
SO-8
実装タイプ
表面実装
最大パワー消費(W)
125
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
30
最小ゲートしきい値電圧(V)
1
ピン数(ピン)
8
動作温度(℃)
(Min)-55
チャンネルタイプ
N
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)
100
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)
0.0009
最大ゲートしきい値電圧(V)
2.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)
+20、+6
カテゴリー
パワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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