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SQ2364EES-T1_GE3 Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY SILICONIX 48817083

Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(25個)
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大連続ドレイン電流(A)2
内容量1袋(25個)注文コード48817083品番SQ2364EES-T1_GE3
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥2,748
販売価格(税別)
2,498
パッケージ
SOT-23
実装タイプ
表面実装
最大パワー消費(W)
3
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
60
最小ゲートしきい値電圧(V)
1
ピン数(ピン)
3
チャンネルタイプ
N
標準ターンオフ遅延時間(ns)
26
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)
2
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)
0.6
最大ゲートしきい値電圧(V)
0.46
最大ゲート-ソース間電圧(V)
±8
カテゴリー
パワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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