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SiZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix デュアル Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY SILICONIX 48817747

Vishay Siliconix デュアル Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量
1袋(10個)
注文コード
48817747
品番
SiZ350DT-T1-GE3
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥1,868
販売価格(税別)値下げ
1,698
パッケージ
PowerPAIR 3 x 3
最大パワー消費(W)
16.7
最大連続ドレイン電流(A)
30
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
30
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)
0.009
寸法(mm)
3×3×0.75
ピン数(ピン)
8
実装タイプ
表面実装
チャンネルタイプ
N
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧(V)
1
最小ゲートしきい値電圧(V)
2.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)
-12、+16
カテゴリー
パワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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