仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.2916666667
長さ(mm)6.73
高さ(mm)2.39
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性SuperFET(R) / SuperFET(R) II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET(R) II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)83
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)600
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30
トランジスタ構成シングル
