チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 11.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V
最大パワー消費 = 2500 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
長さ = 5mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
