Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

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内容量1袋(10個) 注文コード83833997 品番IRF640NSTRLPBF
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥2,198
販売価格(税別)
1,998

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 18 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 150 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応

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